胡林辉
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 碳化硅紫外探测器的研究被引量：4
- 2003年
- 采用宽禁带半导体n 4H SiC和金属Au作肖特基接触 ,TiNiAg合金作背底形成欧姆接触 ,研制出Au/n 4H SiC肖特基紫外探测器 .测试分析了该器件的光谱响应特性 :响应范围为 2 0 0～ 4 0 0nm之间 ;在室温无偏压下 ,响应峰值在 31 0nm处 ,响应半宽为 85nm .同时测试分析了该器件的I V特性 :在室温下 ,正向开启电压为 0 .8V ,反向击穿电压大于 2 0 0V ,反向漏电流小于 1 0 -10 A ;工作温度大于 2 50℃ .实验表明 ,Au/n 4H
- 王丽玉谢家纯胡林辉王克彦
- 关键词：宽禁带SIC肖特基光谱响应
- 一种SiC高温温度传感器被引量：4
- 2003年
- 理论表明,当流过SiC肖特基势垒二极管的正向电流恒定时,在一定温度范围内,器件两端的正向压降与温度变化之间存在线性关系。利用此特性,可以制造SiC高温温度传感器。阐述了SiC高温温度传感器的工作原理、结构特点和工艺过程,介绍了传感器系统的结构。系统的测温范围在0～500℃,测量准确度可达0.5℃。
- 胡林辉谢家纯徐军王颖易波
- 关键词：温度传感器SIC系统结构宽带隙碳化硅
- 具有分形结构的SiC/SiO_2界面的粗糙散射
- 2004年
- 用结构函数的方法建立了SiC粗糙表面的分形模型,用rms粗糙度Δ,分形维数D,以及相关长度L三个参量来刻画表面高度的自协方差函数,并提出了参数的计算方法.在此分形模型的基础上,能计算出SiC SiO2界面对沟道电子的粗糙散射.
- 陈文建谢家纯徐军胡林辉董晓波
- 关键词：碳化硅二氧化硅MOSFET半导体材料
- 4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用平面工艺 ,用高真空电子束分别蒸发金属Ni、Ti做肖特基接触 ,采用多层金属Ni、Ti、Ag合金做欧姆接触 ,制作出Ni/ 4H SiC、Ti/ 4H SiC肖特基势垒二极管(SBD) .研究了在 - 1 0 0～ 50 0℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系 .实验表明 :当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时 ,器件正向直流压降随温度变化具有线性关系 ,斜率约为 1 .8mV/℃ ,由此 ,提出了以 4H
- 胡林辉谢家纯王丽玉徐军易波
- 关键词：碳化硅肖特基二极管温度
