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罗来华

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇CMOS
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇栅控
  • 1篇栅控二极管
  • 1篇双采样
  • 1篇转换器
  • 1篇流水线
  • 1篇硅栅
  • 1篇二极管
  • 1篇保护电路
  • 1篇SOI
  • 1篇TF
  • 1篇A/D
  • 1篇A/D转换
  • 1篇A/D转换器
  • 1篇ESD
  • 1篇MOS器件

机构

  • 3篇西安微电子技...

作者

  • 3篇罗来华
  • 2篇沈文正
  • 2篇刘文安
  • 1篇赵文魁
  • 1篇权海洋
  • 1篇邬成
  • 1篇刘文平

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
TFSOI/CMOS ESD研究被引量：2
2000年
文章讨论了 TFSOI/CMOS中 ESD电路与常见体硅 ESD电路的主要区别，详细分析了 ESD电路中各个组成部分对整体性能的影响，成功地研制了抗 2000V静电的 ESD保护电路，指出了进一步提高 TFSOI/CMOS ESD抗静电能力的途径。
刘文安罗来华赵文魁沈文正
关键词：ESD栅控二极管CMOS保护电路
一种10位50MSPS CMOS流水线A/D转换器被引量：2
2004年
　介绍了一种CMOS流水线结构高速高精度A/D转换器,该器件具有50MHz工作频率和10位分辨率。设计采用双采样技术,提高了有效采样率;由于运用了冗余数字校正技术,可以采用低功耗的动态比较器。对转换器的单元结构进行了优化,并对主要电路进行了分析。
邬成刘文平权海洋罗来华
关键词：A/D转换器流水线CMOS双采样
双多晶硅栅SOI MOS器件的研究被引量：2
2000年
采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0.22V ,在1V和5V电源电压下双多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为1.7ns和350ps,双多晶硅栅SOI技术将是低压集成电路的一种较好选择。
罗来华刘文安沈文正
关键词：SOIMOS器件
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