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罗彩香

作品数:9 被引量:8H指数:2
供职机构:宁波大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金宁波大学王宽诚幸福基金宁波市自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 7篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇单晶
  • 6篇晶体
  • 5篇钨酸
  • 5篇发光
  • 4篇单晶体
  • 4篇钨酸镉
  • 4篇光谱
  • 4篇BI
  • 3篇荧光
  • 3篇荧光光谱
  • 3篇发光特性
  • 2篇单晶生长
  • 2篇电子能
  • 2篇电子能谱
  • 2篇酸盐
  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇坩埚下降法生...
  • 2篇下降法
  • 2篇光电子能谱
  • 2篇红外

机构

  • 9篇宁波大学
  • 5篇中国科学院

作者

  • 9篇罗彩香
  • 6篇夏海平
  • 5篇虞灿
  • 4篇徐军
  • 3篇王金浩
  • 3篇陈红兵
  • 2篇张约品
  • 1篇王存宽
  • 1篇赵鹤玲
  • 1篇万云涛
  • 1篇钟月锋
  • 1篇张新民
  • 1篇邱杨
  • 1篇胡元
  • 1篇张晓荷
  • 1篇周华娟

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
γ射线辐照与O_2退火对Bi∶CdWO_4单晶体光谱性能的影响被引量:1
2012年
用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱。随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移。在373与980nm的光激发下,分别观察到发光中心为528nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1 078nm的Bi 5+发光。晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528nm的荧光带强度增强,但发光中心为1 078nm的荧光带强度变弱。这可能是由于氧退火使Bi 5+转化成Bi 3+所致。经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致。经γ射线辐照处理后,528nm处的发光增强,而1 078nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi 5+变成Bi 3+。
罗彩香夏海平虞灿张约品徐军
关键词:Γ射线光谱
核医疗设备(X-CT和PET)用掺杂CdWO4闪烁单晶的生长及性能研究
王金浩陈红兵张约品张新民周华娟罗彩香
钨酸镉(CdWO4)单晶是一种综合性能优异的闪烁发光材料,该晶体的发光效率高、X射线吸收系数大、抗辐照损伤性能强、材料密度大而被大量应用在核医学成像探测上,如X-CT和PET等.但晶体容易着色引起光输出的下降,而且晶体容...
关键词:
关键词:单晶生长
掺Bi钨酸盐单晶及近红外宽带发光的研究
夏海平王存宽邱杨王金浩虞灿罗彩香张晓荷万云涛钟月锋
首次采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达Ф30 mm*100 mm、Bi2O3初始掺杂浓度为0.5 mol%的CdWO4单晶.生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光...
关键词:
关键词:单晶生长光电子能谱晶体
掺Bi钨酸镉单晶体发光特性的研究被引量:3
2011年
用坩埚下降法(Bridgman)生长出了Bi离子掺杂的CdWO4单晶.测定了晶体不同部位的吸收光谱、发射光谱和X射线电子能谱(XPS).Bi离子的掺入引起CdWO4晶体的吸收边从345nm红移到399nm.在311nm,373nm,808nm和980nm光的激发下,分别观测到中心波长为470nm,528nm,1078nm和较弱的1504nm四个不同发射带.Bi:CdWO4单晶的XPS谱分别与Bi2O3(Bi3+)和NaBiO3(Bi5+)样品的进行比较,推断Bi3+和Bi5+离子同时存在于CdWO4晶体中.可见光波段的470nm与528nm荧光发射起因于CdWO4晶体基质中WO66-与掺杂于晶格中Bi3+离子的发光;而1078nm的发射峰则起因于Bi5+离子的发光.XPS的分析结果与荧光强度的变化一致,沿着晶体生长方向,1078nm的荧光强度逐步变弱,Bi5+离子的含量逐步减少;而位于528nm处的荧光强度则逐步增强,Bi3+离子的含量逐步增多.
罗彩香夏海平虞灿徐军
关键词:荧光光谱
掺Bi钨酸镉单晶体的制备及近红外宽带发光性质
采用坩埚下降法技术【1】,在400℃/cm的温度梯度下,成功地生长出了物化性能良好、尺寸达φ25mm×100mm、Bi2O3初始掺杂浓度为0.5mol%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈现青黄色,而生长后期晶体的颜色则...
虞灿夏海平罗彩香胡元陈红兵徐军
文献传递
掺Bi钨酸盐晶体发光特性的研究
本论文研究了Bi:CdWO_4单晶体的光谱特性,并对Bi离子在该晶体中以何种价态存在并如何发光,以及进行氧气退火和γ辐照对Bi:CdWO_4单晶体吸收透过和荧光光谱的影响做了初步的探索,研究了其变化的机理。 论文第一章绪...
罗彩香
关键词:XPS吸收光谱荧光光谱
文献传递
掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性被引量:6
2010年
采用坩埚下降法,成功地生长出了尺寸达25 mm×100 mm,Bi2O3初始掺杂摩尔分数为0.5%的CdWO4单晶。生长初期下部晶体呈青黄色,而生长后期晶体的颜色则显血红色。在808 nm与980 nm光激发下,观察到弱的1396~1550 nm(中心波长为1504 nm)与较强的1037~1274 nm(中心波长为1078 nm)波段的近红外宽带发光,并测定其荧光寿命分别为238μs和294μs。从生长初期的青黄色到生长后期的血红色晶体,1504 nm波段的荧光强度逐步增强,而1078 nm波段的荧光强度逐步减弱。根据实验结果初步探讨了红外宽带发光的机理和起因,1078 nm波段的荧光发射与Bi离子的掺杂有密切关系,而弱的1504 nm荧光发射可能与晶体中的杂质或掺杂后形成的缺陷等因素有关。
虞灿夏海平罗彩香胡元陈红兵徐军
关键词:坩埚下降法
掺Bi离子锗铌酸盐红外发光玻璃的研究
2012年
用高温熔融法制备了Bi_2O_3掺杂的(0.9-x)GeO_(2-x)Nb_2O_5-0.1BaO(含量x为摩尔分数,x=0,0.04,0.07,0.1)系列玻璃.测定了玻璃样品的差热分析(DTA)曲线、吸收光谱、发射光谱及X射线光电子能谱(XPS).从DTA曲线分析得到玻璃的结晶起始温度与软化温度之差(T_x-T_g)达200℃以上.吸收光谱中可观察到位于500,700,808和1000 nm处的吸收峰,并随着Nb_2O_5含量x的增加吸收边带发生红移.在波长为808 nm激光激发下,观察到发光中心位于1300 nm处、荧光光谱半高宽约为200 nm的宽带发光.荧光强度随Bi_2O_3掺杂量δ的增加先增强后减弱,当掺杂量δ达到约0.01时,荧光强度达到最强.随着Nb_2O_5含量x从0.04增加到0.1时,荧光强度逐步减弱.样品的XPS峰分别位于159.6和164.7 eV,它们介于Bi^(3+)与Bi^(5+)的特征结合能之间,因此Bi^(3+)与Bi^(5+)可能同时存在于玻璃基质中.从XPS及Bi离子的发光特性推断,宽带的荧光发射可能起因于Bi^(5+).随着Nb_2O_5含量x的增加,荧光强度逐步减弱.分析认为,Nb_2O_5取代GeO_2后形成了NbGe缺陷,需要低价Bi离子进行电子补偿,因而抑制了Bi^(5+)形成,致使荧光强度减弱.
赵鹤玲夏海平罗彩香徐军
关键词:荧光光谱X射线光电子能谱
一种钨酸镉晶体及其制备方法
本发明公开了一种具有近红外宽带发光特性的钨酸镉晶体及其制备方法,该钨酸镉晶体以CdWO<Sub>4</Sub>单晶为基质,在其中掺入0.1~2.0mol%的Bi离子,本发明的Bi:CdWO<Sub>4</Sub>氧化物晶...
夏海平王金浩虞灿罗彩香陈红兵
文献传递
共1页<1>
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