白振华
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信更多>>
- Si纳米线的气—液—固可控生长与掺杂特性
- Si纳米线作为一种新型的一维纳米材料,有着显著不同于体材料的许多物理特性,这使得它在纳米器件中有着潜在的应用价值。本工作采用Au膜作金属催化剂,在800℃温度下退火后,利用低压化学气相沉积(LPCVD方法,以SiH4作为...
- 白振华
- 关键词：SI纳米线掺杂
- 文献传递
- Si纳米线的生长机制及其研究进展被引量：2
- 2008年
- Si纳米线及其阵列是近年内新发展起来的准一维半导体光电信息材料,在场效应器件、单电子存储器件、光探测器件、场发射器件、纳米传感器件和高效率发光器件以及集成技术中具有潜在的应用。本文以气-液-固(VLS)生长机制为主线,介绍与评论了近5年来Si纳米线在制备与合成技术方面所取得的一些最新进展。其主要内容包括Si纳米线的各种金属催化生长和氧化物辅助生长,最后指出了今后该研究的发展方向。
- 彭英才X.W.Zhao范志东白振华
- 关键词：SI纳米线气-液-固生长
- Si纳米线的Au催化固-液-固生长与结构表征被引量：1
- 2009年
- 以电阻率为1.1-1.5Ω·cm的N-（111）Si单晶为衬底和厚度为2-20nm的Au膜层为金属催化剂，在N2气流量为0.4-2.0L／min和温度为1000-1100℃的退火条件下，利用固-液-固（SLS）生长机制，直接从Si单晶制备出了Si纳米线。扫描电子显微镜（SEM）的测量证实，Si纳米线直径为50-150nm、长度为数微米到数十微米。讨论了退火温度、N2气流量和Au膜层厚度对Si纳米线的形成与结构的影响。实验结果表明，制备高密度、分布均匀且生长方向趋于一致的Si纳米线的最佳工艺参数为：Au膜层厚度为5-10nm，温度为1100℃，N2气流量为1.5L／min。
- 范志东白振华马蕾彭英才
- 关键词：SI纳米线热退火
- Si纳米线的固-液-固可控生长及其形成机理分析被引量：5
- 2010年
- 以Au膜作为金属催化剂,直接从n-(111)Si单晶衬底上制备了直径为30—60nm和长度从几微米到几十微米的高质量Si纳米线.实验研究了Au膜层厚、退火温度、N2气流量和生长时间对Si纳米线形成的影响.结果表明,通过合理选择和优化组合上述各种工艺条件,可以实现直径、长度、形状和取向可控的纳米线生长.基于固-液-固生长机理,定性阐述了Si纳米线的形成过程.
- 彭英才范志东白振华马蕾
- 关键词：SI纳米线
- Si纳米线的制备方法与器件应用
- 2009年
- 以气-液-固(VLS)、气-固-固(VSS)、固-液-固(SLS)和氧化物辅助生长(OAG)机制为主线,着重介绍与评论了几种主要的Si纳米线的制备方法,如激光烧蚀沉积(LAD)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发和金属(Au,Fe,Ni和Al)催化生长等.简要介绍了Si纳米线及其阵列在场效应晶体管、场发射器件、太阳电池、传感器以及集成电子器件等方面的应用.最后,讨论了各种制备方法的优势与不足,指出了该研究领域今后的发展方向.
- 彭英才范志东白振华
- 关键词：SI纳米线
- Si纳米线的气-液-固生长与结构表征
- 2009年
- 以Au膜作金属催化剂、SiH4作为源气体,基于气-液-固（VLS）生长机制在n-Si（111）单晶衬底上制备出了Si纳米线.利用扫描电子显微镜对样品进行了结构表征,Si纳米线的直径为20-200 nm、长度为数微米到数十微米,X射线能量损失谱分析表明所制备的Si纳米线中含有少量的Au元素.讨论了生长温度、SiH4流量、Au膜层厚度和生长时间对Si纳米线的形成与结构的影响.
- 白振华范志东程旭彭英才
- 关键词：SI纳米线气-液-固生长
- Si纳米线的固-液-固可控生长
- 由于准一维纳米结构-Si纳米线具有许多新颖的电学、光学、磁学以及力学等物理性质，从而使其在场发射器件、单电子存储器件、高效率激光器、纳米传感器以及高转换效率太阳电池等光电子器件中具有重要的实际应用。本工作以Au膜为催化剂...
- 彭英才范志东白振华马蕾
- 关键词：纳米线退火温度
- 文献传递
