白云
- 作品数：12 被引量：41H指数：3
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- AlGaN/GaN P-I-N紫外探测器的电子辐照效应
- 2007年
- 制备了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N结构可见盲正照射紫外探测器。用能量为0.8MeV的电子对器件依次进行注量为5×1014,5×1015和5×1016n/cm2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的电子辐照对Al0.1Ga0.9N/GaN异质结P-I-N器件性能的影响。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。为了分析器件的辐照失效机理,制备SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,发现SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。这表明,器件的暗电流的增大的原因之一为钝化层与GaN材料之间因为辐照诱生的界面态。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。
- 白云邵秀梅张燕李向阳龚海梅
- 关键词：ALGANP-I-N电子辐照MIS结构
- GaN基紫外探测器的电子辐照效应被引量：13
- 2008年
- 用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。制备了GaN基p-i-n结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016 n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理。
- 白云邵秀梅陈亮张燕李向阳龚海梅
- 关键词：GANPLMIS结构PIN电子辐照
- GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应
- 本研究制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014 cm-2和2×1O15 cm-2的辐照。通过测量辐照前后器件的Ⅰ-Ⅴ曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的质子辐照对GaN基...
- 白云邵秀梅陈亮张燕李向阳龚海梅
- 关键词：紫外探测器质子辐照光谱响应
- 文献传递
- GaN基紫外探测器辐照效应的研究
- GaN基材料，由于具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、高的电子饱和漂移速度和大的临界击穿电压等特点，不仅成为短波长光电子材料，也成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料，在通信、汽车、航空...
- 白云
- 关键词：紫外探测器电子辐照质子辐照Γ辐照
- 256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像被引量：5
- 2008年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型I-V曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.
- 吕衍秋韩冰白云徐萌唐恒敬孔令才李雪张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 双光子频率纠缠特性的操控理论研究
- 下转换是目前广泛采用的产生纠缠光子对的方法.由于纠缠光子对的频率关联特性在量子时间同步、量子通信、量子测量和量子密码学等领域的重要应用[1-5],实现所需的双光子频率纠缠特性及其操控[6]具有重要意义.
- 白云张羽权润爱侯飞雁刘涛张首刚董瑞芳
- 关键词：操控
- AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应被引量：1
- 2008年
- 对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时辐照还引起了器件的电容的频率特性的增强,并且降低了器件的响应率。这些现象可能是γ辐照在AlGaN材料中诱生了新的缺陷能级造成的。
- 白云李雪张燕龚海梅
- 关键词：Γ辐照ALGAN肖特基势垒
- 低温退火对HgCdTe中波光导器件γ辐照效应的影响被引量：1
- 2007年
- 研究了低温退火对HgCdTe中波光导探测器γ射线辐照效应的影响。经过剂量为1Mrad的辐照后，器件的性能下降。对经过辐照的器件进行低温退火，退火温度范围为313～333K．退火时间在5～16h之间不等。在相同条件下测量了器件辐照前后及不同退火温度、不同退火时间下的体电阻、响应率、探测率和响应光谱。通过对比辐照前后及不同退火温度下性能参数的变化，分析了退火对器件的γ辐照效应的影响。实验表明：低温退火对辐照引起的性能的下降有一定的恢复作用。
- 白云乔辉李向阳龚海梅
- 关键词：Γ辐照HGCDTE退火辐照效应
- 空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展被引量：23
- 2006年
- 文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的A lGaN紫外探测器;最后,对A lGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。
- 张燕龚海梅白云陈亮许金通汤英文游达赵德刚郭丽伟李向阳
- 关键词：紫外探测ALGAN焦平面探测器
- GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应被引量：1
- 2007年
- 制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014cm-2和2×1015cm-2的辐照。通过测量辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线,讨论了不同注量的质子辐照对GaN基紫外探测器件性能的影响。I-V特性表明,辐照使器件的反向暗电流增大,正向开启电流减小,并减小了器件的响应率,使峰值响应波长向短波方向稍有移动。为分析器件的辐照失效机理,研究了质子辐照对GaN材料的拉曼散射谱(Raman谱)和光致发光谱(PL谱)的影响。拉曼散射谱表明,A1(LO)模式随辐照注量向低频移动,通过拟合A1(LO)谱形,得到辐照使材料的载流子浓度降低的结果。PL谱表明,辐照使主发光峰和黄光峰强度降低,并出现一些新的发光峰,分析认为这是由于辐照引起了N空位缺陷和其他一些缺陷的亚稳态造成。
- 白云邵秀梅陈亮张燕李向阳龚海梅
- 关键词：GANPIN结构质子辐照PL谱RAMAN谱
