王孝东
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：同济大学更多>>
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- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 电子束蒸发SiO_2薄膜残余应力在不同湿度环境下的对比被引量：4
- 2012年
- 采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜,通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45%RH)和干燥环境(5%RH)中不同沉积温度下制备的SiO2单层膜残余应力,同时使用分光光度计和原子力显微镜对样品的折射率和表面形貌进行研究。测试结果表明:SiO2薄膜的残余应力在两个环境中均表现为压应力,且随沉积温度的升高均逐渐增大。干燥环境下与大气环境相比,应力值减小了约100MPa。此外,随沉积温度的升高,薄膜折射率不断增大,表面粗糙度逐渐减小。说明:随着沉积温度的变化,SiO2薄膜的微结构发生了改变。相应地,由水诱发的应力随薄膜致密度的增加而逐渐减小。
- 叶晓雯丁涛程鑫彬沈正祥王孝东刘永利鲍刚华何文彦
- 关键词：沉积温度残余应力折射率表面形貌
- 清洗对偏振分光膜损伤阈值的影响被引量：4
- 2012年
- 采用微分干涉显微镜、扫描电镜和聚焦离子束观察了偏振分光膜损伤的形貌,从损伤机理出发,研究了清洗对偏振分光膜损伤阈值的影响。结果表明:清洗能有效去除表面杂质,清洗质量越好,基板上的杂质尺寸越小,杂质密度也越小,相应的偏振分光膜S光的损伤阈值越高;清洗能有效去除基板表面的纳米吸收中心,吸收性杂质分布密度越小,吸收峰越低,P光的损伤阈值越高。
- 叶晓雯王孝东程鑫彬马彬丁涛沈正祥王占山
- 关键词：弱吸收损伤阈值电子束蒸发
- 高损伤阈值三倍频分离膜被引量：1
- 2011年
- 设计了Nd:YAG激光用三倍频分离膜,膜层材料为SiO2和HfO2。经过优化,膜系在355 nm处的反射率在99%以上,在532 nm和1 064 nm处透射率也在99%以上。采用电子束蒸发技术,在熔融石英基底上制备了样品,经测量,制备的分离膜光学性能与设计值接近。分离膜在355 nm激光辐照下的损伤阈值为5.1 J/cm2,并用微分干涉显微镜表征了薄膜损伤形貌。
- 王孝东张锦龙马彬焦宏飞丁涛程鑫彬
- 关键词：电子束蒸发激光损伤阈值光学薄膜
- 单层膜体吸收与界面吸收研究被引量：5
- 2011年
- 采用热透镜测量方法进行了SiO2和HfO2单层膜的体吸收与界面吸收分离研究.首先推导了光从薄膜侧及基底侧入射时单层膜内的驻波场分布,给出了单一厚度薄膜分离体吸收和界面吸收的计算方程式以及求解薄膜消光系数的方法.利用电子束蒸发工艺制备了半波长光学厚度(λ=1064nm)的SiO2和HfO2单层膜,通过热透镜的测量数据实际分离了两种薄膜的体吸收和界面总吸收.计算结果表明,对于吸收小至10-6量级的薄膜来说,薄膜的界面吸收相对于体吸收不可忽略;制备HfO2薄膜的体吸收和界面吸收都比SiO2薄膜大.
- 鲁江涛程鑫彬沈正祥焦宏飞张锦龙马彬丁涛刘永利鲍刚华王孝东叶晓雯王占山
- 关键词：光热技术消光系数
