王培林
- 作品数：16 被引量：12H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- BRIDGMAN法生长Hg<,1-x>Cd<,x>Te晶体过程场量数值模拟研究
- 该文以计算科学为基础研究Bridgman法Hg<,1-x>Cd<,x>Te晶体的生长,通过对结晶过程场量的数值模拟,为改善晶体的组分均匀性提供理论依据.具体完成了四项内容的研究工作.1.对温度场进行了单一场量的数值模拟研...
- 王培林
- 关键词：数值模拟磁场BRIDGMAN法
- 拉晶速度对HgCdTe—Bridgman系统热场分布影响的研究被引量：1
- 1994年
- 用数值计算方法研究了在Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统中生长ＨｇＣｄＴｅ晶体时拉晶速度对热场分布的影响。计算结果表明，大的拉晶速度会造成固液界面向下位移，并使之凹陷现象加剧，不利于获得径向均匀性好的单晶材料。
- 王培林刁凤斌魏科周士仁
- 关键词：有限差分晶体生长布里奇曼法
- 达林顿晶体管中稳定电阻对电流增益及电流分配的影响行为被引量：2
- 1993年
- 在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电阻间比值P、稳定电阻基本值R、基极电流I_B 之间应满足的公式。文中图示的曲线族可供达林顿晶体管设计参考.
- 王培林杨晶琦宫立波
- 关键词：达林顿晶体管电流增益电流分配
- BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展被引量：4
- 1994年
- 综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．
- 王培林魏科张国艳周士仁
- 关键词：晶体生长
- 高增益大功率达林顿晶体管的设计与制造被引量：1
- 1994年
- 介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。
- 杨晶琦徐婀丽王培林
- 关键词：电流增益晶体管
- 在磁场中的Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长数值模拟研究被引量：3
- 1996年
- 对垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统，用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及ｓ－ｌ界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法．结果表明，随着磁场强度的增加，熔体中的热对流强度逐渐减弱，ｓ－ｌ界面逐渐向上移动并趋于平坦．
- 王培林张国艳周士仁
- 关键词：磁场碲镉汞晶体生长数值模拟
- 退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响
- 2001年
- 采用XPS、XRD、AFM测试技术 ,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响。测试结果表明 ,低温退火 ,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2 Si→PtSi→Si;高温退火 ,相分布顺序为Pt→Pt2 Si +PtSi→PtSi→Si或Pt +Pt2 Si+PtSi→PtSi→Si。退火温度高 ,薄膜中晶粒尺寸大 。
- 殷景华蔡伟王培林郑玉峰王中李美成赵连城
- 关键词：退火温度硅化物表面形貌红外探测器
- 磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征
- 2003年
- 采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。
- 殷景华蔡伟王明光郑玉峰李美成王培林赵连城
- 关键词：表面形貌
- 外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究被引量：1
- 1999年
- 介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化与磁场的关系．实验结果表明，由于磁场对熔体中热对流的作用，尤其是横向磁场与流胞的相互作用，在一定程度上改变生长界面的形状。
- 蓝慕杰叶水驰鲍海飞于杰周士仁王培林
- 关键词：磁场晶体生长BRIDGMAN法碲镉汞晶体
- 偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟被引量：2
- 1996年
- 用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０。
- 王培林邓开举张国艳周士仁
- 关键词：晶体生长BRIDGMAN法HGCDTE
