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王云姬

作品数：14 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 10篇铟镓砷
  • 8篇平面型
  • 7篇探测器
  • 5篇红外
  • 4篇探测器芯片
  • 4篇线列
  • 3篇淀积
  • 3篇气相淀积
  • 3篇线列探测器
  • 3篇芯片
  • 3篇化学气相淀积
  • 3篇光敏
  • 2篇等离子体
  • 2篇钝化
  • 2篇钝化膜
  • 2篇退火
  • 2篇退火过程
  • 2篇片上集成
  • 2篇微结构
  • 2篇微结构与性能

机构

  • 14篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 14篇王云姬
  • 13篇龚海梅
  • 13篇李雪
  • 13篇唐恒敬
  • 8篇李淘
  • 7篇邓洪海
  • 7篇邵秀梅
  • 7篇魏鹏
  • 6篇杨波
  • 5篇朱耀明
  • 3篇程吉凤
  • 2篇刘诗嘉
  • 2篇张在实
  • 2篇乔辉
  • 2篇汤亦聃
  • 1篇刘定权
  • 1篇朱龙源
  • 1篇段微波

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种台面型铟镓砷探测器制备方法
本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...
朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉
一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法
本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探...
杨波邓洪海朱龙源邵秀梅李雪李淘唐恒敬魏鹏王云姬龚海梅
文献传递
一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法
本发明公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiN<Sub>x</Sub>)钝化层，P...
曹高奇唐恒敬王云姬李雪邵秀梅程吉凤龚海梅
文献传递
一种台面型铟镓砷探测器制备方法
本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...
朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉
文献传递
InGaAs探测器片上集成滤光膜的微结构与性能研究
采用热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心波长为1.38μm滤光膜的片上集成。利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征了滤光膜的表面和界面形貌,结果表明滤光膜为三谐振腔结构...
王云姬
关键词：INGAAS探测器片上集成
文献传递
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法
本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生...
邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅
文献传递
一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片
本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片。红外探测器芯片在结构上主要包括子像元结构的PN结区和载流子侧向收集区。本专利引入了子像元结构，利用了载流子的侧向收集效应，产生在载流子侧向收集区的光生载流子可以被相邻...
邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅
文献传递
单片集成亚波长微偏振光栅的铟镓砷近红外探测器
本发明公开了一种单片集成亚波长微偏振光栅的InGaAs线列或面阵探测器。它是一种光电探测器，由InGaAs光敏芯片、增透膜和亚波长微偏振光栅组成。增透膜选用低折射率SiO<Sub>2</Sub>材料，改善亚波长微偏振光栅...
邵秀梅李雪王云姬唐恒敬李淘龚海梅
文献传递
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)被引量：1
2014年
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积（PECVD）和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E11cmHz1/2W-1,56.0%和62.0%;两种器件的响应波段分别为1.63~1.68μm和1.62~1.69μm;平均暗电流密度分别为312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分,结果显示,相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言,采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.
王云姬唐恒敬李雪邵秀梅杨波邓双燕龚海梅
关键词：INGAAS暗电流
可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器被引量：2
2015年
为了实现In Ga As探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层In Ga As腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型In Ga As面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了In P衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5~1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16%,850 nm处量子效率约为54%,1 550 nm处量子效率约为91%.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.
杨波邵秀梅唐恒敬邓洪海李雪魏鹏王云姬李淘李淘
关键词：量子效率
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