段宁
- 作品数：7 被引量：61H指数：3
- 供职机构：北方交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一类新型稀土配合物的合成与发光特性研究被引量：28
- 2001年
- 合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin) 3phen和Tb(asprin) 3phen ,并将其掺杂到导电聚合物PVK中 ,制成结构了为ITO/PVK∶RE配合物 /LiF/Al的电致发光器件。很明显 ,在相同掺杂比例下 ,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大 ,而后者的电致发光中PVK的发射几乎全部被覆盖掉了 ,进一步研究发现它们的光致发光中也有同样现象存在 ,这表明具有同等配体的此类铕、铽配合物的特性存在很大差别 ,并对这一差别作了初步讨论。
- 高新邓振波陶栋梁白峰段宁徐怡庄吴谨光
- 关键词：稀土配合物电致发光电致发光器件发光特性铕铽
- ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究
- 2001年
- 用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .
- 张希清梅增霞段宁Tang ZK
- 关键词：激子分子束外延X射线衍射XRD
- CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究被引量：1
- 2001年
- 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .发现不同激发密度下发光衰减时间不同 ,认为它的机理可能是无辐射复合引起的 .在该材料中观测到激子 激子散射发射峰 ,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实 .
- 张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢Z.K.Tang
- 关键词：多量子阱光学性质激子分子束外延生长X射线衍射
- CdTe/CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究
- 2001年
- 用分子束外延在ＧｅＡｓ衬底上生长了 ＣｄＴｅ／Ｃｄ０．８Ｍｎ０．２多量子阱结构。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、低激发密度下的ＰＬ光谱和变密度激发的 ｐｓ时间分辨光谱研究了 ＣｄＴｅ／ＣｄＭｎＴｅ多量子阱的结构和激子复合特性。在变密度激发的ｐｓ时间分辨光谱中，发现不同激发密度下发光衰减时间不同，认为它的机理可能是无辐射复合引起的。
- 张希清梅增霞段宁ZK Tang
- 关键词：动力学半导体
- 电子俘获材料KCl:Eu^(2+)的光存储特性研究被引量：5
- 2000年
- 采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 + 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 +的光存储的机制。
- 孙力王永生何志谊段宁赵辉
- 关键词：电子俘获材料光存储
- 一种新型的稀土有机电致发光材料:Tb(asprin)_3phen被引量：35
- 2001年
- 文报道了乙酰水杨酸为第一配体 ,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料 ,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性 ,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO/PVK :Tb(asprin) 3phen/Al,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱 ,我们初步探讨了器件的电致发光机理 ,认为是PVK及Tb(asprin) 3phen激发态的载流子被Tb3 +俘获并与符号相反的载流子在Tb3 +中心上复合 。
- 段宁张希清高新刘舒曼徐叙瑢陶栋梁徐怡庄吴瑾光
- 关键词：电致发光电致发光器件铽配合物邻菲罗啉
- NaCl:Eu^(2+)的电子俘获机制研究被引量：1
- 1999年
- 采用固相反应法制备了NaCl:Eu2 + 粉末样品.测量了发光和光激励发光特性.这种材料可记录用紫外光写入的信息,用绿光读出,读出信号为蓝光.
- 孙力段宁赵谡玲王丽辉王永生
- 关键词：电子俘获光存储光激励发光铕离子
