公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

SU-8胶光刻工艺研究被引量：67: 2002年; SU - 8胶是一种基于环氧SU - 8树脂的环氧型的、近紫外光、负光刻胶。其专门用于在非常厚的底层上需要高深宽比的应用。但是SU - 8胶对工艺参数的改变非常敏感。本文对影响光刻后图形质量的主要工艺参数前烘温度和时间、中烘温度和时间、曝光时间及显影时间进行了研究 ,发现前烘时间和显影时间是影响图形分辨率及高深宽比的最主要的参数。随后给出了 2 0 0 μm厚SU - 8光刻胶的建议工艺条件 :2 0 0 μm/s甩胶 ,1h的 95°C前烘 ,近紫外光 (40 0nm)接触式曝光 ,95°C的中烘 30min ,PGMEA中显影 2 0min。另外对实验中实现的主要问题基片弯曲和光刻胶的难以去除作了一定的探讨 ,给出了合理化建议 :对于基片弯曲可采用以下四种措施来降低 ,降低中烘的温度同时增加中烘的时间、用厚硅片来代替薄硅片、对于薄硅片在前烘后可用金刚刀切成 4～ 8小片、适当的设计掩模板 ;对于光刻胶的去除用热丙酮泡、超声清洗、反应离子刻蚀和高温灰化法相结合。; 张立国陈迪杨帆李以贵; 关键词：SU-8胶高深宽比光刻

DEM技术中PMMA深层刻蚀工艺研究: DEM技术是由上海交通大学开发出来的一种全新的三维微细加工技术.本文旨在研究DEM技术中利用反应离子刻蚀(RIE)深层刻蚀塑料PMMA的工艺.主要研究了刻蚀功率、工作气压、刻蚀气体流量等对刻蚀速率、侧壁和底部状态等的影响...; 杨帆陈迪李以贵唐敏毛海平李昌敏倪智萍; 关键词：DEM技术反应离子刻蚀 PMMA 深层刻蚀微机械电子系统; 文献传递

铜掺杂氧化锡的制备及其气敏性能研究被引量：2: 2016年; 利用PVP为表面活性剂,将氯化亚锡和氯化铜溶解在草酸水溶液中,通过简单温和的一步水热法,制备了铜掺杂的氧化锡,采用XRD、SEM、TEM等测试手段对材料的结构和形貌进行了表征,并使用气敏测试设备WS-30A系统研究了氯化铜的掺杂比例在0-20%时对材料气敏性能的影响.结果表明,适宜比例的铜掺杂二氧化锡气敏传感器对硫化氢气体具有很好的气敏响应性能,掺杂比例为10%时可以显著改善气敏元件响应时间、恢复时间、选择性和稳定性,且最佳响应温度大幅度降低,最低在180℃.最后,讨论了铜掺杂对氧化锡气敏性能增强的机理.; 胡骏葛美英尹桂林杨帆何丹农; 关键词：水热法气敏性能

纳米氧化钨气敏传感器研究进展: 2016年; 在对各种有害气体检测的研究领域内,纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位。作为一种n型半导体金属氧化物,氧化钨因其独有的结构和性能特点,成为近年来气敏材料的研究重点和热点。本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理,总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向,最后指出其自身的不足及未来的研究发展方向。; 杨帆尹桂林葛美英何丹农; 关键词：纳米材料氧化钨气敏传感器

基于DEM技术的塑料毛细管电泳芯片加工工艺被引量：4: 2002年; 传统的毛细管电泳芯片基体材料以硅和玻璃为主 ,成本较高 ,且不适合于生化领域。而以聚合物作为基片材料 ,由于材料成本较低 ,且微复制方法成本也很低 ,因此可望在商业上取得广泛的应用。采用DEM技术 ,利用感应偶合等离子体 (ICP)刻蚀设备进行硅的刻蚀 ,然后从硅片直接进行微电铸 ,得到金属模具后 ,再利用微复制工艺 ,最终得到的毛细管电泳芯片基片 ,该技术工艺简单 ,可实现大批量低成本生产。; 张立国陈迪杨帆李以贵; 关键词：DEM技术塑料毛细管电泳芯片

多孔分级结构金属氧化物气体传感器研究概述: 2012年; 多孔和分级结构因其大的表面积和有助于气体运输的特点而拥有理想的气敏性能。本文分别综述了应用于气体传感的多孔和分级结构金属氧化物的主要制备方法,并介绍了一种新的基于生物模板合成多孔分级结构金属氧化物的方法。由于其形貌中团聚较少,多孔分级结构的气敏性能较传统纳米结构的更为优秀。; 杨帆; 关键词：气体传感金属氧化物半导体

全选清除导出

共1页<1>

杨帆