李育亮
- 作品数：6 被引量：86H指数：5
- 供职机构：四川大学化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学更多>>
- 西门子工艺制备多晶硅体系的热力学分析被引量：4
- 2012年
- 利用吉布斯自由能理论对西门子体系进行了热力学分析,梳理了体系中可能发生的系列化学反应。结果表明,多晶硅生产主反应为裂解反应而非还原,SiHCl3裂解生成SiCl2(g)和HCl(g),进而生成Si和SiCl4(g)。这不仅合理地解释了实际生产中副产大量四氯化硅等问题,而且为优化还原工艺提供了有价值的科学依据。
- 彭耀东覃攀冉祎李育亮尚书勇印永祥
- 关键词：多晶硅热力学分析反应机理
- DBD等离子体改性芳纶表面的动态工艺研究被引量：5
- 2008年
- 采用介质阻挡放电(DBD)空气等离子体,选择不同放电强度及处理时间对芳纶表面进行连续动态处理。通过扫描电镜以及光电子能谱仪对处理前后芳纶表面进行表征。结果表明,经DBD等离子体处理后的芳纶表面粗糙度有较大提高,浸润性显著提高,且纤维表面C元素质量分数下降超过5%,0元素质量分数约上升8%;芳纶表面的粗糙度、浸润性及含氧基团含量均随放电强度和处理时间的增加而提高。
- 习敏李育亮李代红印永祥戴晓雁
- 关键词：芳纶表面改性介质阻挡放电等离子体
- 四氯化硅转化技术的现状与发展趋势被引量：63
- 2009年
- 介绍以四氯化硅为原料生产的几种化学产品(气相法白炭黑、硅酸乙酯、多晶硅、光纤材料、三氯氢硅)的生产技术的现状和发展趋势,并分析这些产品的市场容量和对消耗四氯化硅所起的作用。国内多晶硅的大规模生产即将兴起,解决其副产物四氯化硅的最有效的方法是转化为三氯氢硅。着重介绍国内外四氯化硅氢化技术,及笔者正在开发的等离子体四氯化硅还原新工艺。
- 陈涵斌李育亮印永祥
- 关键词：四氯化硅三氯氢硅多晶硅气相法白炭黑硅酸乙酯等离子体法
- 不同进气方式对热等离子体应用于CH_4-CO_2重整的影响被引量：5
- 2009年
- 采用大功率双阳极热等离子体装置,对CH4-CO2重整制合成气进行实验研究.实验采用两种不同的原料气输入方式:一种是使原料气(CH4和CO2的混合气体)作为等离子体放电气体全部通入第1阳极与第2阳极间的放电区,直接参与放电;另一种是保持前述状态,再附加另一部分原料气通入从等离子体发生器喷出的等离子体射流区.实验表明:第1种方式下,CH4和CO2同时具有很高的单程转化率和反应选择性,但能量转化效率较低;第2种方式下,尽管CH4和CO2单程转化率和选择性有所降低,但由于进料量增加,所得合成气摩尔量较大,因此能量转化效率高于第1种进气方式所得结果.实验还发现,保持放电电流恒定的情况下,等离子体放电电压随通入第1阳极与第2阳极间放电区的原料气流量增加而增加,与通入等离子体射流区的流量无关,同时实验未发现等离子体发生器阴极和阳极被氧化或出现碳沉积现象.
- 白玫瑰陶旭梅吴青友黄志军李育亮印永祥戴晓雁
- 关键词：重整甲烷热等离子体
- 等离子体还原四氯化硅生产三氯氢硅试验被引量：8
- 2010年
- 进行了用直流放电等离子体法还原四氯化硅生产三氯氢硅的试验,反应器的功率达到30 kW,三氯氢硅单程收率超过了60%,每生产1 kg三氯氢硅耗电4.55 kW.h。通过计算得到了氢气解离度、电离度与温度的关系,归纳出氢气的比定压热容随温度变化的函数,根据试验结果确定了氢气和四氯化硅的最佳进料配比。
- 陈涵斌李育亮印永祥戴晓雁
- 关键词：三氯氢硅四氯化硅收率能耗
- 氢热等离子体还原四氯化硅制备三氯氢硅的能耗分析被引量：8
- 2011年
- 利用40 kW直流氢热等离子体氢化还原改良西门子(Siemens)法生产多晶硅工艺的副产物SiCl4,制备了SiHCl3(Trichlorosilane,TCS)。在等离子体放电功率和H2体积流量不变的条件下,考察了n(H2):n(SiCl4)摩尔比对SiHCl3单程收率和单位产品能耗的影响。结果表明:当n(H2):n(SiCl4)=3.5时,SiHCl3最高单程收率可达62.1%,但其单位产品能耗较高[3.83(kW·h)/kg(TCS)];当n(H2):n(SiCl4)=2时,SiHCl3单程收率为41.5%,单位产品能耗最低为3.21(kW·h)/kg(TCS)。根据热等离子体相关理论以及实验结果,对热等离子体氢化SiCl4反应机理进行分析,提出可通过改善反应器结构、调控进料比例和优化反应工艺等方式进一步降低单位产品能耗。
- 黄志军覃攀吴青友李育亮王子松尚书勇戴晓雁印永祥
- 关键词：四氯化硅热等离子体三氯氢硅多晶硅能耗
