曹松
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：浙江大学物理系物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学环境科学与工程电子电信更多>>
- Ge(111)表面氯自组装系统的近边X射线吸收精细结构理论研究被引量：2
- 2002年
- 利用多重散射团簇方法 (MSC)首次对Cl/Ge(111)自组装系统的Cl原子K边X射线吸收精细结构 (NEXFAS)进行了详细的计算和分析。研究揭示了实验NEXFAS谱峰的物理起源。其中最显著一个峰来源于Cl和正位于其下的Ge之间的散射。同时还得到了吸附系统的局域结构 ;Cl吸附在Ge(111)面的顶位 ,吸附高度是 0 2 15± 0 0 0 5nm ,Cl在Ge(111)表面自组装形成了一个单分子层。这些结果和广延X射线吸收精细结构 (EXFAS)
- 曹松唐景昌汪雷李攀峰
- 关键词：半导体
- N_2O多层膜局域结构的多重散射簇理论研究被引量：1
- 2004年
- 利用多重散射簇(multiplescatteringcluster,MSC)方法计算了N2O多层膜中氮原子的1s芯态近边X射线吸收精细结构(nearedgeX-rayabsorptionfinestructure,NEXAFS)谱,首次给出N2O多层膜局域结构的模型.MSC研究显示多层膜中N2O分子以短程有序的分层错位链结构排列,并求得链中相邻分子间距为0.233nm和相邻分子层之间距离为0.240～0.245nm.用自洽场离散变分(discretevariation,DV)Xα方法计算的N2O多层膜电子结构支持了MSC的计算结果;阐明了NEXAFS谱中弱结构的物理起源.对N2O多层膜中分子之间相互作用的分析显示N2O多层膜的结构具有分子自组装的特性.
- 吴太权唐景昌沈少来曹松李海洋
- SO_2/Ni(111)吸附系统局域结构的多重散射团簇理论研究被引量：8
- 2001年
- 用多重散射团族方法对SO2 Ni(111)吸附系统的S原子 1s近边X射线吸收精细结构进行了详细的计算和分析 ,求得吸附系统的局域结构。研究结果证实了SO2 分子在Ni(111)表面是平铺吸附的 ,其最佳吸附位为fcc三度芯位。吸附分子的S—O键长比气体状态时增长了 (0 0 0 7± 0 0 0 2 )nm ,分子键角∠OSO减小了 10° ,SO2 距衬底的吸附高度为 (0 2 0± 0 0 2 )nm。理论计算与两组实验结果进行了直接比较。
- 曹松唐景昌汪雷朱萍
- 关键词：X射线吸收精细结构环境保护
- Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究被引量：2
- 2003年
- 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。
- 沈少来唐景昌曹松汪雷
- 关键词：砷化镓半导体
