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戴志高

作品数：12 被引量：2H指数：1
供职机构：武汉大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 9篇纳米
  • 5篇纳米阵列
  • 4篇金属
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基底
  • 3篇电子器件
  • 3篇离子注入
  • 3篇离子注入技术
  • 3篇拉曼
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇印刷方法
  • 2篇有序度
  • 2篇乳液
  • 2篇微球
  • 2篇离子束
  • 2篇罗丹明
  • 2篇罗丹明6G
  • 2篇纳米带
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子器件

机构

  • 12篇武汉大学

作者

  • 12篇戴志高
  • 12篇肖湘衡
  • 11篇蒋昌忠
  • 8篇任峰
  • 4篇吴伟
  • 3篇李文庆
  • 3篇梅菲
  • 2篇赵新月
  • 2篇刘力
  • 1篇岳亚楠
  • 1篇李满

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法
本发明公布了一种化学性质稳定的表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法。将采用CVD技术在铜箔上生长的单层石墨烯转移到通过聚苯乙烯微球模板法制备的银纳米阵列上，在50℃下保温30分钟后，单层石墨烯与贵金属纳米阵列牢固结合，形成...
肖湘衡戴志高梅菲郑俊丰李文庆任峰蒋昌忠
文献传递
一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法
本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火4...
肖湘衡李文庆戴志高任峰蒋昌忠
文献传递
一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法
本发明公开了一种二元有序胶体晶体、金属纳米阵列及其制备方法，属于纳米材料领域。一种二元有序胶体晶体的制法为：将粒径不同的聚苯乙烯纳米微球的乳液混合均匀，形成混合乳液加入无水乙醇，混合均匀，形成混合溶液；将混合溶液引流至去...
肖湘衡郑俊丰戴志高梅菲吴伟赵新月任峰蒋昌忠
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间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法
本发明公布了一种间距与形貌可调控的金属纳米颗粒有序阵列的制备方法，该方法利用自组装紧密排布的纳米球层为模版，采用刻蚀法对纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米微球的间隙、尺寸大小和形貌；然后采用热蒸镀法在刻蚀后的纳米球层模板上...
肖湘衡郑俊丰戴志高应见见任峰蒋昌忠
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一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及丝网印刷方法
本发明提供一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及印刷方法，在银纳米颗粒制备过程中引入碳酸盐，使获得的银纳米颗粒不规则化，有利于SERS热点的产生，运用丝网印刷的方式将合成的银纳米颗粒印刷成SERS基底。此方法无...
吴伟刘力戴志高肖湘衡蒋昌忠
基于稳态电热拉曼技术的碳纳米管纤维导热系数测量及传热研究被引量：2
2015年
利用稳态电热拉曼技术测量了碳纳米管纤维对流换热环境下的导热系数.该方法基于材料拉曼信号与温度之间的关系,实时探测一维材料在不同电加热(内热源)下的中心点温度,利用对流环境下的稳态导热模型推导出材料的导热系数,实现了一维微纳材料热物性的无损化和非接触式测量.实验发现:碳纳米管纤维的导热系数远低于单根碳纳米管的导热系数,但高于碳纳米管堆积床的导热系数.这表明碳纳米管体材料的热物性主要取决于内部管束的列阵和管束间的接触热阻.
李满戴志高应见见肖湘衡岳亚楠
关键词：拉曼散射碳纳米管纤维界面热阻
一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及丝网印刷方法
本发明提供一种具有高活性表面增强拉曼效应的基底材料的制备及印刷方法，在银纳米颗粒制备过程中引入碳酸盐，使获得的银纳米颗粒不规则化，有利于SERS热点的产生，运用丝网印刷的方式将合成的银纳米颗粒印刷成SERS基底。此方法无...
吴伟刘力戴志高肖湘衡蒋昌忠
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一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法
本发明公开了一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法，本发明方法为：将采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯转移到贵金属纳米阵列上，并于50℃下保温30分钟，单层石墨烯即与贵金属纳米阵列牢固结合，形成贵金属纳米阵列...
肖湘衡戴志高应见见任峰蒋昌忠
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一种制备石墨烯的方法
本发明公开了一种石墨烯的制备方法。利用离子注入技术，将能量为40～80kV碳离子注入到通过磁控溅射在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上生长一层厚度为200nm的Ni薄膜。通过调控注入离子剂量和退火工艺来制备石墨烯...
肖湘衡应见见戴志高任峰蒋昌忠
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一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法
本发明公开了一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法。将通过热蒸发过程生长出来的硫化镉纳米带转移到硅的基底上，然后使用离子注入技术将氮离子注入掺杂到选取的单根硫化镉纳米带中。随后将注入过的样品放入管式退火炉中在350度下退火4...
肖湘衡李文庆戴志高任峰蒋昌忠
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