徐小秋
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- ZnO中本征缺陷和掺杂与发光的关系及其作用机理
- ZnO是一种直接带隙的第三代宽禁带半导体，因其在室温下约为3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能，而受到了广泛关注，被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料。随着ZnO半导体材料制备研究不断取得进展，Z...
- 徐小秋
- 关键词：ZNO材料本征缺陷掺杂发光光学性质电学性质
- Zn0紫外发光机理及激子和施主的耦合发光
- 本文通过对ZnO单晶样品的变温光致发光(PL)光谱的研究,分析了ZnO紫外发光的不同光谱峰的特点、峰值能量随温度的变化规律,发现了激子符合的声子伴线和双电子发射与热运动平均动能之间的关系：依据发光跃迁应该遵从的能量守恒和...
- 傅竹西林碧霞徐小秋
- 关键词：化合物半导体发光机理单晶生长
- 文献传递
- 氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响被引量：8
- 2010年
- 以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si(100)衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明:(1)随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;(2)当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃时,可见光波段的发光几乎完全被抑制,而紫外波段的发光强度急剧增强。分析认为,高温退火改善晶体结晶质量的同时调制了样品的Zn/O比,氮气气氛下的热处理使得样品内的氧原子逸出,来自受主缺陷OZn的可见发射随温度升高逐渐减弱,而当退火温度达到1000℃以上时样品成为富锌状态,此时与施主缺陷Zni有关的紫外发射急剧增强。
- 钟泽孙利杰徐小秋陈小庆邬小鹏傅竹西
- 关键词：退火光致发光MOCVD
- 高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响
- 通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在1...
- 徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西
- 关键词：化合物半导体发光强度电子浓度
- 文献传递
- ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光
- 2007年
- 用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.
- 刘磁辉徐小秋钟泽傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜I-V特性深能级
- CVD法制备ZnO薄膜生长取向和表面形貌被引量：6
- 2008年
- 利用具有特定温度梯度的CVD设备,以锌粉和氧气为原料,在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜。研究发现,锌粉中加入某些氯化物后可以改变ZnO薄膜的生长取向。用FESEM观察ZnO薄膜的表面形貌,发现Zn和氯化物的量比为1∶1时,生长的ZnO薄膜表面晶粒呈菱形或三角形({101}面),当二者的量比为10∶1时薄膜表面晶粒呈六棱台形({001}面)。XRD分析结果证实,前者只观察到(101)和(202)衍射峰,而后者出现(002)衍射峰且其强度大于(101)衍射峰。改变衬底或温度后得到的结果相同。因此,作者认为氯化物改变薄膜生长取向的现象与衬底和生长温度无关,添加的氯化物起到降低ZnO{101}面表面能的作用,随着氯化物浓度的增加,薄膜从沿[001]方向生长逐渐转向沿[101]方向生长。
- 田珂施媛媛徐小秋钟声傅竹西
- 关键词：CVDZNO薄膜
