张太民
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
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- 微光像增强管离子阻挡膜质量测试技术研究被引量：1
- 2009年
- 鉴于通常制作的离子阻挡膜存在通孔,在阴极低电压下,经MCP电子倍增在荧光屏上显示为亮孔,为测试出规则与不规则亮孔的大小和数量,提出了一种像管的离子阻挡膜质量测试方法。该方法是在规定电压和光阴极照度的条件下,使像管光阴极接收约2lx的光照射,给像管各极施加电压使像管荧光屏上离子阻挡膜亮孔清晰可见,用10倍显微镜或相机拍照,观察荧光屏所成的离子阻挡膜通孔图像。试验结果表明:在相同的测试条件下,离子阻挡膜的制作工艺不同,离子阻挡膜质量亦不同。
- 贺英萍张太民石峰朱宇峰拜晓锋
- 关键词：微通道板离子阻挡膜
- GaAs-玻璃粘接透射式阴极光电发射在线稳定性研究
- 2013年
- 为了寻找三代像增强器管内阴极灵敏度下降产生的原因,用质谱计作为质量监测手段,通过对阴极原子级洁净表面获得、阴极激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,所制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线考核试验,结果表明,优化工艺激活的光电阴极在真空度10-9Pa,主要残气为H2、N2、Ar的超高真空度中存放500 h,灵敏度稳定。铟封到管内阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关,不是阴极自身的问题,重点应开展制管工艺质量对灵敏度影响分析研究。
- 徐江涛程耀进张太民李敏刘蓓蓓刘峰
- 关键词：透射式光电发射
- 防离子反馈微通道板的最佳工作电压试验研究
- 2017年
- 带防离子反馈膜的微通道板(micro-channel plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:(1)对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值V_(c1)时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压V_(c1)为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值V_(m1)(阴极电压为大于V_(c1)的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(V_(m1)+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(V_(m1)+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;(2)对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压Vc=无膜MCP的最佳阴极电压V_(c1)与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为Vm>(V_(m1)+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。
- 张妮朱宇峰李丹张太民刘照路李相鑫郝子恒陈畅
- 关键词：阴极电压
- 像增强器荧光屏发光性能评价方法研究
- 微光夜视技术的发展离不开其核心器件微光像增强器的性能改进与提高。随着我国高性能三代乃至四代微光像增强器研究的不断深入,微光像增强器的荧光屏已经成为制约其性能提高的重要一环。 为了客观评价像增强器荧光屏的发光性能,本...
- 张太民
- 关键词：发光效率MTF光反馈品质因数
- 文献传递
- 微通道板质量污染对二代倒像微光管性能的影响
- 2008年
- 为解决二代微光倒像管研究中制管合格率低问题,对微通道板处理过程工艺质量和放气成分进行分析。结果表明,微通道板质量不合格、表面污染、性能一致性差是造成器件阴极灵敏度低、视场暗斑、分辨率低、背景大的主要因素。对其采用清洗,无油真空炉处理工艺,消除了工艺过程对微通道板的污染,研制成功了总体性能全面合格的二代倒像微光管。
- 徐江涛张太民
- 关键词：微通道板
- 低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究被引量：2
- 2008年
- 为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击，提高微光像增强器的工作寿命，开展了低磁控溅射率法沉积微通道板（MCP）Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺，获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V，溅射气压（4～5）×10^-2Pa，沉积速率0．5nm／min等。研究结果表明：在此工艺条件下，能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件，制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续，且通孔不能满足要求。
- 朱宇峰张太民聂晶师宏立
- 关键词：磁控溅射防离子反馈膜
- 紫外成像器件光电阴极封接焊料熔层缺陷对气密性的影响
- 2014年
- 为解决紫外成像器件光电阴极与管体封接漏气问题,对管体InSn合金熔化过程中出现的质量问题进行了深入分析,找出焊料熔层缺陷主要来源于对焊料除气不彻底和基底表面氧化及设备油污染。通过优化工艺参数,改进工艺质量和把化铟设备管体搁置焊料熔化改为浇铸熔化,使管体焊料熔化合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到98%。
- 徐江涛杨晓军张太民韩昆烨
- 关键词：气密性
- 近贴聚焦成像器件管体熔铟层气孔产生的因素分析
- 2011年
- 为解决成像器件管体熔铟层产生流散不均匀、熔层断裂、体内气泡造成的光电阴极与管体封接漏气问题,深入分析了产生根源,研究了一种管体注铟技术,使管体注铟合格率达到了100%,光电阴极与管体封接气密性成品率达到了98%。
- 徐江涛程耀进张太民李敏师宏立刘蓓蓓侯志鹏刘峰祝婉娉
- 关键词：近贴聚焦成像器件
