崔旭高
- 作品数：71 被引量：43H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种痕量炸药和毒品探测器及其使用方法
- 本发明公开了一种痕量炸药和毒品探测器及其使用方法。其包括微型真空泵、真空盒、加热台、激光拉曼光谱仪和气体传感器；气体传感器由基片和基片上的纳米金属颗粒修饰的自卷曲微米管组成；纳米金属颗粒修饰的自卷曲微米管是首先利用真空镀...
- 崔旭高黄高山梅永丰
- 文献传递
- 一种色温均匀的高显色性能白光LED
- 本发明属于LED技术领域，具体为一种色温均匀的高显色性能白光LED。本发明白光LED包括通常白光LED的如下基本部件：LED芯片、封装支架、硅胶、荧光片、透镜、反光杯、热沉；其中，所述荧光片采用中心厚、边缘薄的球冠形状；...
- 崔旭高黄高山梅永丰徐光明严华锋陈宇
- 文献传递
- 鬼成像光通信系统、发送、接收装置及方法
- 本申请涉及一种鬼成像光通信系统、发送、接收装置及方法，属于通信技术领域。鬼成像光通信系统中，发送端采用扩频密钥对源信号进行码分多址扩频处理后，接收端也必须采用相应的扩频密钥才能对重构信号进行解扩处理得到源信号，实现了对源...
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- 基于氧化锌氧化铋复合陶瓷基板封装的LED及其制备方法
- 本发明属于LED光源技术领域，具体为一种在ZnO基压敏复合陶瓷基板上封装的LED。该LED包括散热基板、静电防护材料、LED芯片、金丝连线、荧光粉和硅胶，其中散热基板采用ZnO压敏复合陶瓷基板等；所述ZnO压敏复合陶瓷由...
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- 文献传递
- 量子点发光结构、提高量子点光通信带宽的方法及实验方法
- 本申请涉及通信器件技术领域，尤其涉及一种提高量子点光通信带宽的方法、量子点发光结构及提高量子点光通信带宽的实验方法，包括以下步骤：S1：提供发光芯片；以及S2：在发光芯片的出光光路上设置具预设参数的量子点色转换材料，使发...
- 田朋飞张振单心怡崔旭高
- 一种基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统
- 本发明属于通信技术领域，具体为基于sCAP调制的micro‑LED可见光通信系统。本发明系统依次包括：数模转换单元，信号混合单元，micro‑LED光源，多个透镜，光电探测器，模数转换单元，信号处理单元；本发明将micr...
- 田朋飞仇鹏江格雷格·斯特普尼亚克陈新伟崔旭高顾而丹刘冉郑立荣
- 空间引力波探测中电荷管理系统的紫外光源应用被引量：1
- 2024年
- 引力波是物质和能量的剧烈运动和变化所产生的一种物质波,通过探测引力波可以使得人类从另一个角度去观测宇宙.在空间引力波探测的过程中,惯性传感器中的检验质量会受到太空环境中粒子和射线的作用而积累电荷,影响了引力波探测的精度,因此需要对检验质量上的电荷进行控制,即开展电荷管理.在以往的电荷管理系统中应用紫外汞灯和紫外(UV)LED作为光源,取得了不同的效果.本文主要综述了空间引力波探测中电荷管理系统的紫外光源研究进展.汞灯作为第1代系统光源,虽能完成任务,但有着启动慢、功耗高等缺点.UV LED凭借其体积、功耗等方面的优点,逐步成为目前电荷管理系统的光源.近年来,随着紫外微型LED(UV micro-LED)技术的成熟,其较高的外量子效率和良好的可靠性展示出应用于电荷管理系统的潜力,是未来电荷管理系统可选择的紫外光源之一.
- 阮远东章志昊贾茳勰顾煜宁张善端崔旭高洪葳白彦峥田朋飞
- 关键词：深紫外LEDLED
- Ti1-xCoxO2薄膜与块材的溶胶—凝胶法制备
- 以钛酸丁酯（TPOT）为有机醇盐前驱体,采用溶胶—凝胶技术制备了不同成分的TiCoO溶胶,并分别制备了薄膜和溶胶块材,在485℃温度下进行热处理。X射线衍射（XRD）和紫外—可见光谱（UV—vis）的测量表明:在485℃...
- 胡秀坤崔旭高张世远
- 关键词：铁磁性比饱和磁化强度磁性测量稀磁半导体
- 文献传递
- 一种用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置
- 用于MOCVD系统的双层气流石英整流罩反应室装置，包括卧式石英管，石英管两端设有金属法兰将石英管两端密封，石英管内设置长方形石英整流罩和基座，基座放置衬底的斜面设置在石英整流罩内，石英整流罩及基座斜面的设置符合MOCVD...
- 谢自力张荣陶志阔崔旭高刘斌陈鹏修向前韩平赵红施毅郑有炓
- 文献传递
- 非正分钙钛矿锰氧化物(La_(0.8)Sr_(0.2))_(1-x)MnO_3的电磁特性被引量：10
- 2004年
- 报道了A位缺位的钙钛矿锰氧化物(La0.8Sr0.2)1-xMnO3(0≤x≤0.30)多晶样品的相结构、磁性和磁电阻效应。实验表明,当x≥0.20时,化合物主要由磁性钙钛矿相和非磁性Mn3O4相所组成。它们的电阻率随温度的变化曲线均具有双峰特征,高温侧的电阻率峰出现在钙钛矿相的居里温度附近,低温侧的电阻率宽峰则是金属导电性的钙钛矿晶粒和高电阻率的半导体或绝缘体导电性的晶界或相界共同作用的结果。样品的零场电阻率ρo随着A位缺位量x的增大而增大。适当改变x值,可以改善磁电阻比的温度稳定性。当x=0.30时,化合物磁电阻比MR在一个相对宽的温度范围内(175～328K)基本上保持不变,即MR=(9.1±0.5)%。
- 余江应胡秀坤夏洪旭崔旭高张世远
