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宋显申

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程冶金工程化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇掺杂
  • 3篇钽粉
  • 3篇
  • 3篇掺杂剂
  • 2篇电容
  • 2篇磷化物
  • 2篇铝盐
  • 2篇击穿电压
  • 2篇比容
  • 1篇电容器
  • 1篇电性能
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇阳极氧化膜
  • 1篇氧化膜
  • 1篇元素磷
  • 1篇钽电容
  • 1篇铝化合物
  • 1篇铝化物
  • 1篇磨细

机构

  • 7篇北京有色金属...

作者

  • 7篇宋显申
  • 6篇王向东
  • 5篇佟世昌
  • 4篇毛襄苹
  • 3篇曹蓉江
  • 2篇阚素荣
  • 1篇李永刚

传媒

  • 4篇稀有金属

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 3篇1991
  • 1篇1989
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
电容器级钽粉的铝化物掺杂
1993年
通过阳极氧化试验和 X 射线衍射分析,研究了铝化物掺杂量对钽阳极氧化膜电性能特别是击穿电压的影响,分析了掺杂剂 NaAlO_2与钽粉作用后生成的主要新相的组成和结构,发现当掺杂量≤01wt%时,钽阳极的击穿电压随掺杂量的增加而线性增加,当掺杂量为0.5wt%时,击穿电压反而下降了43V;主要新相的组成和结构是四方 AlTaO_4相。此外还讨论了掺杂量与击穿电压间的相关性,认为控制适当的掺杂量是重要的。
王向东曹蓉江宋显申佟世昌毛襄苹
关键词:钽粉夹杂铝化合物
磷化物掺杂剂与钽的互相作用被引量:2
1991年
查明磷化物掺杂剂与钽基的互相作用,是了解掺杂剂影响钽阳极的比容、击穿电压和漏电流等性能的基础。为此,本文用高温俄歇谱仪和X射线衍射仪对掺杂试样进行了分析,发现在掺杂量≥0.5%时,其主要作用机理为:P_2O_5+2Ta=Ta_2O_5+2P,3Ta+P=Ta_3P。
王向东曹蓉江宋显申佟世昌毛襄萍
关键词:磷化物掺杂
32-35V-6000-700uf·v/g电容器钽粉
刘耀雄宋显申刘鸿均
钽电容具有漏电小,可靠性高,工作温度范围宽,体积小等优点。该钽粉耐压适中、比容高,可进一步缩小钽电容的体积,生产出常规钽粉难以生产和系列品种和降低其生产成本。在军工、尖端技术及民用电子行业获得了应用。与3000-350...
关键词:
关键词:钽电容
磷化物掺杂剂对钽阳极氧化膜组成及击穿特性的影响被引量:2
1991年
利用俄歇谱仪(AES),采用氩离子溅射剥离的方法对不掺杂和掺杂钽片的阳极氧化膜进行了纵向分析。发现:掺杂剂中的磷原子确实进入到阳极氧化膜内。假设进入氧化膜内的掺杂剂中的磷原子作为杂质中心存在,在强电场作用下电离而释放出电子。根据钽阳极氧化膜的Albella雪崩模型,导出了V_B=B-blnc-alnA。实验证明上述假设是合理的。
王向东曹蓉江宋显申佟世昌
关键词:阳极氧化膜击穿特性
掺铝化合物电容器级钽粉
一种生产电容器级金属钽粉的掺杂工艺方法,其特点是同时加入掺杂剂水溶性铝盐和水溶性磷酸盐,所加入的水溶性铝盐为3000ppm以下(以金属元素铝计),加入水溶性磷酸盐的量为5-100ppm(以元素磷计)。由于水溶性铝盐和水溶...
王向东宋显申佟世昌毛襄苹晏志凡阚素荣
文献传递
电容器级钽粉的前掺杂被引量:5
1995年
分析了电容器级钽粉磷化物后掺杂的主要作用机理,并用x射线衍射相分析证实,前掺杂时磷化物也与钽相互作用生成四方Ta_3P相。从而推断磷化物前掺杂与后掺杂的主要作用机理是一样的,掺杂钽粉的电性能检测也证实了这一点.并据此引出一些对实际生产过程有益的结论。
王向东毛襄苹宋显申李永刚刘鸿钧
关键词:钽粉掺杂电性能
一种电容器级钽粉的掺杂方法
本发明涉及电容器级钽粉的掺杂方法去及所制的钽粉,将金属钽粉和铝的水溶性无机盐加水充分调匀,使其呈浆状,烘干,在高真空高温的条件下凝聚脱气,破碎、磨细,其掺杂量以金属元素铝计为3000ppm以下,又以在加入铝的水溶性无机盐...
王向东宋显申佟世昌毛襄苹晏志凡阚素荣
共1页<1>
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