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孙胜华

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇硅量子点
  • 2篇带隙
  • 2篇电池
  • 2篇多层膜
  • 2篇太阳电池
  • 2篇子层
  • 1篇电池结构
  • 1篇电器件
  • 1篇电致发光
  • 1篇多层结构
  • 1篇亚波长
  • 1篇氧化硅
  • 1篇纳米
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇激光晶化
  • 1篇光电
  • 1篇光电器件

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇孙胜华
  • 3篇徐骏
  • 3篇陈坤基
  • 3篇李伟
  • 2篇芮云军
  • 2篇徐岭
  • 2篇张晓伟
  • 2篇李淑鑫
  • 2篇陆鹏
  • 2篇许杰
  • 1篇沐维维
  • 1篇严敏逸
  • 1篇孙红程
  • 1篇徐伟
  • 1篇李建

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
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激光晶化制备纳米硅量子点／二氧化硅多层结构及其高效电致发光
硅基发光材料的制备与研究一直是人们关注的课题之一，因为这是实现硅基单片光电集成的关键和难点，迄今仍没有一个确定的解决方案[1]。为了克服体硅材料量子效率低下的问题，人们提出了利用纳米硅量子点来提高电子空穴的复合几率来实现...
徐伟李伟孙红程徐骏沐维维孙胜华李建严敏逸陈坤基
关键词：激光晶化二氧化硅多层结构电致发光
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
一种带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池及制备方法
带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p...
徐骏曹蕴清绪欣李淑鑫芮云军李伟徐岭陈坤基孙胜华张晓伟陆鹏许杰
文献传递
亚波长硅纳米结构的制备，表征及其器件应用探索
硅基纳米结构由于其新颖的光电性质和在新型硅基光电器件中的潜在应用价值而日益受到人们的重视和关注。特别是在器件中引入亚波长的纳米结构可以进行光的调控，从而达到减少界面反射，增强光吸收，减少光学损失的效果。本论文采用纳米小球...
孙胜华
关键词：光电器件
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