孙东亚
- 作品数：70 被引量：39H指数：4
- 供职机构：厦门理工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技重大专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程文化科学更多>>
- 一种卷对卷铜箔黑影方法
- 本发明提供了一种卷对卷铜箔黑影方法，涉及电路板生产技术领域。其中，这种卷对卷铜箔黑影方法包括清洁、整孔、黑影、定影、抛光、微蚀、酸洗、电镀，以及抗氧化等步骤。其中，缠绕在卷对卷生产装置上的卷带，包括依次相连接的第一牵引带...
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- 文献传递
- ICP-AES法测定太阳能级硅中磷等12种痕量杂质元素被引量：6
- 2014年
- 用电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES）测定太阳能级硅（SOG-Si）中磷等12种杂质元素。实验发现,在150℃时,用HF和HNO3的混合溶液,试样在PFA烧杯中能较快溶解。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体（MOS）级试剂溶解电子级硅（EG-Si,纯度大于9N）可控制样品空白中各元素的含量均小于1μg/L,并能较好的补偿基体效应。在选定仪器工作条件下,被测元素检出限为5～50 ng/mL,回收率在93%～105%,相对标准偏差RSD≤9.8%（n=11）。测定结果与电感耦合等离子体原子发射质谱（ICP-MS）法及辉光放电质谱（GDMS）法进行了比对,结果吻合。
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- 关键词：太阳能级硅洁净室
- 羟基铬柱撑二硫化钼的制备及其对苯加氢反应的催化活性被引量：1
- 2006年
- 采用单分子层技术将羟基铬聚合离子[Cr4（OH）6（H2O）10]^6＋嵌入到二硫化钼板层间，得到层间距为1．319～1．341nm的柱撑复合材料．X射线粉末衍射表明，羟基铬聚合物溶液经70℃恒温下陈化4d即可作为稳定的柱撑液使用；在柱撑反应体系中，较小的n（Cr）／n（Mo）比和较低的Cr^3＋浓度有利于获得结晶度较好的柱撑材料．与原料2H—MoS2相比，柱撑材料的层间距增大，晶粒变小，比表面积增加并且热稳定性提高．对催化苯饱和加氢反应表明，柱撑材料Cr—MoS2的催化活性明显优于未柱撑的2H—MoS2和Raney Ni催化剂，且结晶度较好的柱撑材料更具有较高的催化活性和较好的可重复性．
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- 关键词：二硫化钼单分子层催化加氢
- 一种用于磁控溅射制备多孔金属氧化物纳米薄膜的方法
- 本发明公开了一种用于磁控溅射制备多孔金属氧化物纳米薄膜的方法，包括以下步骤：S1，将一定质量和直径的聚苯乙烯微球悬浮液与乙醇和去离子水按一定比例共混制得一定浓度的聚苯乙烯微球溶液；S2，通过旋涂机将聚苯乙烯微球溶液旋涂在...
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- 一种碳纳米管复合硅基负极锂电池
- 本发明提供一种碳纳米管复合硅基负极锂电池，包括：极片，该极片的制备方法为：步骤一、按照重量比为8：1：1的比例，依次取一氧化硅粉末、碳纳米管导电浆料和无水乙醇在常温下搅拌预定时长T，然后将搅拌混合后的物质在60摄氏度‑8...
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- 熔盐电解-区域熔炼法制备太阳能级硅的工艺研究被引量：2
- 2015年
- 以高纯石英为原料,石墨坩埚和钨为电极材料,在CaCl2-LiCl混合熔盐(摩尔比9∶1)中电解制备Ca-Si合金,经区域熔炼提纯制得太阳能级硅(SG-Si)。用XRD,SEM和ICP-MS对电解合金及提纯后产物进行表征和含量分析。结果表明:在电解槽电压2.6V、温度850℃的条件下,产物为Ca-Si合金。经过两次区域熔炼提纯后,硅锭85%以上的区域纯度接近99.9999%,符合SG-Si的要求。
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- 关键词：熔盐电解太阳能级硅区域熔炼
- 一种Zr-EDTA柱撑钛酸盐复合材料及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种Zr‑EDTA柱撑钛酸盐复合材料及其制备方法与应用，涉及光催化剂领域。本制备方法包括以下步骤：S1，制备纳米片层状钛酸盐Cs<Sub>x</Sub>Ti<Sub>2‑x/4</Sub>O<Sub>4</S...
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- 文献传递
- NaClO/IPA体系制备单晶硅太阳能电池绒面的研究
- 2014年
- 采用NaClO和IPA体系对单晶硅各向异性腐蚀制备绒面.通过紫外可见光光度计和扫描电镜对硅绒面的反射率、形貌进行了表征.结果表明,当NaClO为10%(质量分数,下同),IPA为5%,腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为15 min时,能够得到均匀单晶硅绒面,硅片平均反射率达15%左右;与传统的Na OH/IPA腐蚀体系相比,该工艺制得的单晶硅绒面结构反射率低,有利于太阳能电池性能的提高.
- 孙东亚何丽雯廉冀琼
- 关键词：次氯酸钠各向异性腐蚀太阳能电池
- 一种氧化钴-芦荟衍生多孔层碳复合电极材料及其合成方法与应用
- 本发明公开了一种氧化钴‑芦荟衍生多孔层碳复合电极材料及其合成方法与应用，属于纳米电极材料领域。其是以芦荟凝胶作为碳源，以硝酸钴作为钴源，经过水热反应，在芦荟凝胶颗粒表面原位生长氧化钴颗粒，得到复合物。最后将复合物碳化活化...
- 孙东亚殷勤文何丽雯林晨
- 文献传递
- 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定太阳能级硅中硼被引量：5
- 2014年
- 研究了用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定太阳能级硅(SOG-Si)中硼的方法。试验发现,在110℃左右的温度下,用氢氟酸和硝酸的混合溶液作溶剂,试样在PFA烧杯中能较快溶解,且在溶样时添加0.3mL甘露醇,可有效抑制硼的损失。在1000级洁净室中,用金属氧化物半导体(MOS)级试剂溶解电子级硅(EG-Si),可控制样品空白中硼元素含量小于1μg/L,并能抑制部分基体效应。在仪器最佳工作状态下,选取B 182.641nm作为分析谱线,方法的检出限为18.10μg/L,回收率在92%~108%之间,相对标准偏差(RSD,n=11)不大于7.2%。样品中硼的测定结果与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及辉光放电质谱(GDMS)法进行了比对,结果吻合。
- 孙东亚何丽雯
- 关键词：电感耦合等离子体原子发射光谱法太阳能级硅洁净室硼
