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孔纪兰: 作品数：19 被引量：34H指数：4; 供职机构：重庆大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金重庆市自然科学基金博士科研启动基金更多>>; 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

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Be/00Cr17Ni14Mo2不锈钢扩散焊界面区成分的计算机模拟被引量：3: 2003年; 为了优化扩散焊的工艺参数,应用有限元计算法建立的数学模型,对1050℃/65MPa热等静压条件下不同时刻的Be/00Cr17Ni14Mo2不锈钢扩散焊的浓度场进行了计算机模拟。探讨了扩散宽度与扩散时间的关系。结果表明,模拟的浓度曲线与实验测定结果基本吻合,扩散宽度与扩散时间成抛物线关系。; 张鹏程孔纪兰周上祺邹觉生; 关键词：00CR17NI14MO2 浓度场计算机模拟

Be/HR-1不锈钢热静压高温形变的组织结构: 2012年; 利用光学金相显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪和材料试验机分析Be/HR-1和Be/Cu/HR-1不锈钢真空热静压接头扩散区高温形变的组织结构和性能,探讨形变组织结构与压力和性能的关系。研究表明:热静压的作用使试样产生扩散性蠕变和晶界滑动,影响扩散焊区的晶粒大小和金属间化合物的数量;热静压应不得在使基体晶粒最大的临界压力或临界应变量下进行,适当降低压力和缩短时间可减少沿晶生成金属间化合物的数量,提高连接接头质量;Be/Cu/HR-l不锈钢热静压反应扩散生成的新相熔点大大低于原基材,适当降低温度或压力可有效控制连接工件的变形。; 李辉孔纪兰孔纪兰康人木周上祺; 关键词：铍 HR-1不锈钢形变

碳纳米管场效应晶体管的研究进展被引量：1: 2004年; 介绍了利用纳米材料和技术代替传统的硅(Si)材料，研制电子功能元器件的重要性和急迫性。着重介绍了用纳米碳管研制场效应晶体管(FET)这一重要的电子元件的进展情况及几种常见的碳纳米管FET。分析了现有的碳纳米管FET实用化的困难和存在的问题，并展望了碳纳米管FET的应用前景。; 吕建伟王万录张毅万步勇曹春兰孔纪兰; 关键词：场效应晶体管碳纳米管 FET 电子元件纳米碳管实用化

单壁纳米碳管制备的新进展: 2004年; 综述了成熟的且能大量合成纯度较好的单壁纳米碳管(SWCNTS)的制备方法,分析不同的制备方法的特点以及关键的工艺参数,并在同一制备方法中讨论工艺条件的改变对合成SWCNTS产物的影响。催化剂及碳源种类以及它们的配比在制备SWCNTS中起决定重要作用。此外,电弧电流及电压、惰性气体种类及压力、电极的冷却速度等因素是电弧法制备SWCNTS的重要参数。激光束的强度、环境温度、惰性气体的种类及流速、脉冲的频率及间隔时间等工艺参数决定激光蒸发法制备SWCNTS的产物。而碳源的流量,催化剂粒度大小、反应温度,气体压强以及基体材料等在有机气体催化热解法合成SWCNTS中发挥重要作用。; 孔纪兰周上祺左汝林吕建伟; 关键词：单壁纳米碳管电弧法激光蒸发法

铜中间层对铍/HR-1不锈钢热静压扩散连接组织性能的影响: 2010年; 利用金相显微镜、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计和材料试验机,分析了铜作中间过渡层材料时,热静压扩散连接铍/HR-1不锈钢接头的组织结构、微区成分和性能,探讨了扩散区成分,组织结构与性能的关系。研究表明:扩散迁移后的原Be/Cu界面是整个扩散连接区的最弱处,是试样的断裂位置;用铜作过渡材料后,较有效地阻碍了铍与不锈钢元素金属间化合物的生成,提高了扩散连接接头的性能。; 李辉康人木康人木周上祺孔纪兰; 关键词：铍 HR-1不锈钢

纳米碳管分子整流器件的研究进展被引量：1: 2004年; 介绍了利用碳纳米管代替传统的硅材料研制分子整流器这一重要的电子元器件的进展状况。着重分析了现阶段利用碳纳米管大量研制分子元器件及纳米电路所面临的困难,并对碳纳米管整流器件的应用前景作了展望。; 吕建伟王万录王永田万步勇孔纪兰; 关键词：纳米碳管纳米电路分子电子学

铍/不锈钢扩散连接的研究: 铍属稀有金属，因其具有密度低，比强度和比热容高以及导热性好等优点，被广泛用于核能、航空和航天工业。铍的缺点是延性差，脆性大，从而给铍构件的设计和制造带来不少困难。另外，铍的化学活性高，在高温下极易氧化，还与其它许多金属反...; 孔纪兰; 关键词：铍不锈钢物相分析计算机模拟连接工艺; 文献传递

电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究: 2005年; 由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注。对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目。笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法 (CVD)合成的。衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂。对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极。实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线。在栅压 2V时,其跨导约为 0. 5mA/V。并对获得的研究结果进行了讨论。; 吕建伟王万录廖克俊王永田万步勇孔纪兰; 关键词：碳纳米管场效应晶体管 I-V特性跨导

镍磷纳米碳管化学复合镀层的力学性能研究: 纳米科技是20世纪80年代末刚刚产生并正在崛起的新技术，纳米材料是纳米科技发展的物质基础。纳米材料中纳米碳管因具有独特的结构和优异的性能，而成为世界性的纳米材料领域研究的前沿和热点之一。论文一方面进行纳米碳管的制备和镍磷...; 孔纪兰; 关键词：有限元法量子化学方法; 文献传递网络资源链接

钒氢化物电子结构的量子化学研究(英文)被引量：8: 2005年; 利用电荷自洽离散变分Xα(SCC-D V-Xα)方法计算了钒基固溶体中钒氢反应前后钒及其氢化物(V H x,x=0,1,2)、假定原子簇模型V H 鄢x(x=1,2)和V H x'(x=0,1)的电子结构.结果表明:钒与氢气反应生成V H 时,化学效应和结构效应都使V 3d和H 1s轨道向低能量方向移动,氢化物V H 中V 3d和H 1s轨道重叠最多,V -H 之间的相互作用较强。V H 再与氢气反应生成V H 2时,结构效应使V 3d和H 1s轨道都向高能量方向移动,氢化物V H 2中V 3d和H 1s轨道重叠最少,V 和H 之间的相互作用较弱。氢化物V H 和V H 2中不仅存在离子性相互作用,而且还存在共价性相互作用.结构效应导致V H 2中V -H 键的共价性减弱,从而导致V H 2中V 和H 之间的相互作用减弱。氢化物V H 的费米能级比V H 2的低,说明V H 更稳定.; 李荣周上祺陈昌国梁国明刘守平孔纪兰; 关键词：金属材料电子结构