周甫方
- 作品数：31 被引量：67H指数：4
- 供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程化学工程更多>>
- 激发波长对多孔硅荧光特性的影响被引量：2
- 2007年
- 用荧光光谱仪测量了多孔硅样品的任一给定点的荧光特性与激发波长的依赖关系,发现当激发波长从650nm变到340nm时,该点的荧光谱峰位从780nm连续蓝移到490nm。用扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅的截面进行了分析,结果显示多孔硅具有分形特性,这同作者的计算机模拟结果一致。结合多孔硅样品的激发光谱测量结果,多孔硅的荧光特性随激发波长改变的现象可以归因于多孔硅的分形结构以及量子尺寸效应。
- 黄远明周甫方
- 关键词：多孔硅量子尺寸效应
- 在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速晶化研究被引量：2
- 2001年
- 在镀铝 (0 .5～ 4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积 1～ 4μm厚的α- Si薄膜 (基底沉积温度为 30 0℃ ,沉积速率为 1 .0μm/h) ,然后样品在共熔温度下、 N2 气保护中热退火 ,可使其快速晶化成多晶硅薄膜 .结果表明 :在铝薄膜的诱导下 α- Si薄膜在温度 550℃附近退火 5min即可达到晶化 ,X-射线衍射分析显示样品退火 30 min形成的硅层基本全部晶化 ,且具有良好的晶化质量 .
- 梁厚蕴林揆训梁淑霞周甫方
- 关键词：快速热退火铝诱导晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜晶化温度退火温度
- 水热二步法TiO2纳米电极经CdSe修饰的光电特性研究
- 本文采用二步水热合成法,第一步在四甲基氢氧化铵水溶液中纯金属钛片上生长TiO 6h,第二步在同样浓度的四甲基氢氧化铵水溶液中掺入极稀NaCl、LiCl、KCl在同样温度和其余条件下继续制备TiO米电极6h,对其进行退火处...
- 王萍赵刘英韩松杰荆碧周甫方
- 关键词：CDSENACLLICLKCL
- 文献传递
- 在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速化研究
- 本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N<,2>气保护中热退火,可使其快速晶化成为多晶硅薄...
- 梁厚蕴林揆训石旺舟周甫方
- 关键词：非晶硅薄膜快速热退火铝诱导晶化
- 文献传递
- SiO_2薄膜中咔唑的发光特性被引量：2
- 2007年
- 利用溶胶-凝胶工艺制备了含咔唑的SiO2薄膜,实验测量了薄膜样品的光致发光特性.结果发现:样品不仅能发射红光,并且当激发波长从610nm连续减小到400nm时,其发射谱峰位又能从760nm连续蓝移到550nm左右.薄膜样品的荧光特性随激发波长而改变的现象可归因于咔唑分子被紧缩在凝胶内部的微孔中受到挤压而导致共轭尺寸发生变化.
- 黄远明翟保改周甫方
- 关键词：SIO2薄膜咔唑光致发光溶胶-凝胶
- X射线衍射仪数据采集系统的软件实现被引量：2
- 2003年
- 文章介绍利用汇编语言、 C语言、 Borland C++Builder等开发了基于 Windows环境的智能化实时处理软件 ,成功地实现了对原 X射线衍射仪的数据的采集、处理、实时显示和存盘。
- 郑清交石新海陈卓桓周甫方
- 关键词：X射线衍射仪BORLANDC^++BUILDERWINDOWSAPI
- 利用Newton多项式求解结构动力响应的新方法被引量：2
- 2002年
- 提出了一种求解线性、确定性系统动力响应的新方法，和现在常用的逐步积分法相比，本文方法不但具有较高的计算精度，避免了收敛性和稳定性的问题，而且大大减少了计算工作量．
- 周甫方刘纪陆
- 关键词：结构动力响应收敛性动力荷载
- XD-610型X射线衍射仪数据获取系统的改进被引量：2
- 2002年
- XD－610型X射线衍射仪的生产厂商未给用户提供直接读取强度－衍射角原始数据的手段。为此对原数据获取系统作了改进。新系统简单,效率高,能有效地直接获取在线数据,成功地解决了原机存在的问题,并已为改装类似仪器提供了有实用意义的经验。对改进后系统的工作机理、硬件和软件作了介绍。
- 周甫方邱桂明赵彦明
- 关键词：X射线衍射仪计算机数据获取
- 固相线下Ce-Co-Al三元体系相关系及Ce2Co15-xAl2+x化合物晶体结构和磁性研究
- 本文采用X射线衍射法和热分析法测定了固相线下Ce—Co—Al三元体系相关系,主要 实验结果包括: 在Ce—Co一Al三元体系中,在Co:Ce和Al:Ce原子比分别大于11:25和1:3的 区域存在四个三元化合物C...
- 周甫方
- 关键词：相图
- 文献传递
- 铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征被引量：21
- 2004年
- 铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温度为 4 0 0℃ ,退火时间为 6 0min时 ,薄膜的晶化率大于 6 0 % ;退火温度为 4 5 0℃退火时间为30min时 ,薄膜已经呈现明显的晶化现象 ;退火温度为 5 0 0℃退火时间为 15min时 ,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的 3—
- 陈一匡林揆训罗志梁锐生周甫方
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜晶体结构退火温度退火时间外加电场
