吴晓虹
- 作品数：14 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上海市计量测试技术研究院更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理石油与天然气工程更多>>
- 第三方公正计量机构管理体系的持续改进
- 2013年
- 《能源计量监督管理办法》的实行，对促进能源计量工作的开展，提升能源计量工作的地位，开辟能源计量工作的新领域、迈进新阶段打下了坚实的基础，为社会公正计量行（站）对大宗贸易交接、能源消耗状况实行第三方公正计量指明了方向；
- 吴晓虹史国豪
- 关键词：社会公正计量行(站)能源计量工作贸易交接能源消耗
- 扩展电阻技术在硅、硅基材料测试中的应用被引量：1
- 2000年
- 本文利用扩展电阻技术对半导体硅、硅基材料进行测试分析 ,从而用以开发新材料和评估材料的质量。
- 吴晓虹闵靖
- 关键词：硅硅基材料
- 表征硅片中氧的深度分布的间接测试方法
- 2000年
- 本文介绍了利用硅中产生热施主的退火，结合磨角和扩展电阻测试，用硅片的电阻率变化的纵向分布，来间接发表征硅片中的氧的深度分布的测试方法。
- 闵靖邹子英吴晓虹
- 关键词：硅片氧电阻率
- 扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用被引量：1
- 1999年
- 本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布，从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。
- 吴晓虹闵靖
- 关键词：半导体器件扩展电阻探针
- 扩展电阻探针在材料测试和器件工艺中的应用被引量：1
- 1999年
- 本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试材料的电阻率分布和工艺芯片的杂质浓度分布，从而用以材料和器件工艺参数的测试分析。
- 吴晓虹闵靖
- 关键词：电阻探针电阻率半导体器件
- 半导体放电管和扩展电阻技术在放电管开发中的应用
- 2003年
- 半导体放电管是新一代抗电浪涌保护器件。本文概略地叙述了放电管的结构、特性和主要的电参数。分析了这些电参数与硅片的物理参数以及扩散的结深和掺杂浓度分布的关系。同时介绍了扩展电阻探针在半导体放电管的开发、制管工艺的监控和失效分析中的应用。
- 吴晓虹朱丽娜闵靖
- 关键词：半导体放电管扩展电阻浪涌保护器件电参数电阻率
- 用等离子体浸没氦离子注入实现智能剥离被引量：1
- 2000年
- 报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。
- 闵靖吴晓虹邹子英
- 关键词：等离子体浸没离子注入
- 研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响
- 2001年
- 讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时 ,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。
- 吴晓虹闵靖
- 关键词：倾斜角离子注入半导体器件集成电路研磨
- 失效器件分析
- 2009年
- As重掺杂Si片的电阻率可低到10-3Ω.cm,可用作外延片的衬底材料,对于正向压降低的半导体器件来说,用这类外延片制作器件是最恰当的选择。As重掺杂Si片在外延时容易产生气相自掺杂,尤其是同型外延时还存在固态外扩散现象,在整个制作器件过程中易产生工艺参数偏差,导致器件性能下降,严重时器件失效,当然衬底材料也可以选用价格较高的背处理工艺Si片,能有效地抑制由于后续加工工艺产生的许多缺陷。对某生产厂生产的一批器件电参数性能下降的原因进行了剖析,分析阐明了以As重掺杂Si片为衬底的外延片中衬底杂质对器件质量的影响。
- 邹子英吴晓虹
- 关键词：外延层衬底电阻率
- 以氧或水汽为源等离子体离子注入合成埋层二氧化硅
- 以氧或者水汽作为离了源以等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）离子合成ＳＩＭＯＸ。我们研究了ＰⅢ离子合成埋层ＳｉＯ〈，２〉的工艺。用ＳＩＭＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试。
- 闵靖吴晓虹邹子英
