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刘庆彬

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇自对准
  • 1篇自对准工艺
  • 1篇位错
  • 1篇晶体管
  • 1篇基矢
  • 1篇SIC
  • 1篇BPD
  • 1篇KOH
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 2篇专用集成电路...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 2篇李佳
  • 2篇刘庆彬
  • 2篇蔚翠
  • 2篇冯志红
  • 1篇芦伟立
  • 1篇何泽召

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于自对准工艺的石墨烯场效应晶体管
李佳蔚翠刘庆彬何泽召卢伟立冯志红
4H-SiC同质外延材料中基矢面位错研究
2013年
在偏向<11-20>晶向8°的半绝缘4H-SiC(0001)面衬底上生长了n型和p型SiC外延材料,在熔融KOH腐蚀液中对外延材料进行腐蚀,使用扫描电子显微镜和光学显微镜对腐蚀后的外延材料进行了测试表征,分析了基矢面位错在SiC外延材料中的转化和延伸理论机制,并讨论了不同导电类型的SiC材料在熔融KOH腐蚀液中的腐蚀机制。结果表明基矢面位错在n型SiC外延材料中更容易得到延伸,而在p型SiC外延材料中转化为刃位错;n型SiC在熔融KOH中的腐蚀,是电化学腐蚀占主导、各向同性的腐蚀过程,而p型SiC表现出各向异性的腐蚀特性。
李佳蔚翠刘庆彬芦伟立冯志红杨霏
关键词：SICKOH
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