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龚平
作品数:
15
被引量:43
H指数:4
供职机构:
中国科学院西安光学精密机械研究所
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发文基金:
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘英
西安交通大学理学院现代物理研究...
侯洵
西安交通大学理学院现代物理研究...
杜力
西安交通大学理学院现代物理研究...
高鸿楷
中国科学院长春物理研究所
范文慧
西安交通大学理学院现代物理研究...
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作者
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龚平
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刘英
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刘学彦
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2篇
1997
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1996
5篇
1995
1篇
1994
2篇
1993
1篇
1992
1篇
1989
共
15
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透射式GaAs光电阴极材料的MOCVD生长
被引量:1
1992年
用常压MOCVD装置,制备了透射式GaAs光电阴极材料。发射层P-型GaAs掺杂浓度到10^(18)-10^(19)cm^(-3),少子扩散长度到4.02μm。AlGaAs层的Al组分含量到0.83,其吸收光谱长波限与设计值基本符合。利用此材料进行了阴极激活实验,制成了透射式GaAs光阴极。
高鸿楷
张济康
云峰
龚平
王海滨
侯洵
关键词:
GAAS
半导体
光阴极
气相沉积
金属有机化学气相沉积GaAs/Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
1995年
本文测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上生长的GaAs外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系,系统地研究了1.13和1.04eV发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随着温度的变化关系,获得了它们的热激活能,Huang-Rhys因子,振动声子能量和Frank-Condon位移,并讨论其来源.
赵家龙
高瑛
刘学彦
苏锡安
梁家昌
高鸿楷
龚平
王海滨
关键词:
砷化镓
外延层
MOCVD
温度
一种发红光的电子陷获型红外上转换材料的制备
被引量:7
1995年
本文研制的电子陷获(ET)型红外上转换材料是在改进传统工艺的基础上,使用硫化助熔法,在石英反应管中,基质合成和掺杂一次完成,具有工艺简单、生长周期短、重复性好的优点。由于反应在密闭系统中完成,安全可靠,对实验室环境保护好,用这种方法制备出的红外上转换材料,在室温下用紫外光或可见光激励后,用红外激发时发红光,并测得了其激发光谱(红外)和发射光谱(红光)。
龚平
杜力
过晓晖
刘英
候洵
贾炜
关键词:
发光粉
MS(M=Ca,Sr等)的化学稳定性分析
1994年
本文讨论了碱土硫化物的化学稳定性与晶化程度的关系,指出材料合成的反应机理是影响材料性能的一个关键因素:
龚平
杜力
过晓晖
刘英
侯洵
贾炜
韩诗若
关键词:
化学稳定性
一类电子俘获型红外可激发材料光学性能研究
被引量:20
1998年
测试了硫化助熔剂法制备的电子俘获型红外可激发材料Eu,Sm∶CaS和Ce,Sm∶CaS的激发光谱、红外激励光谱、荧光光谱及红外上转换发光光谱等,结果表明:这类材料不仅具有红外上转换及光存储功能,而且具有光谱响应范围广、可在室温下工作以及造价低等优点,是一类很有发展前途的光学功能材料。
范文慧
王永昌
杜力
龚平
龚平
张大慰
刘英
张大慰
关键词:
激发光谱
电子俘获
红外材料
用硫化助熔剂法合成红外上转换材料的研究
1996年
本文采用一种优化的硫化助熔剂方法合成了红外上转换材料,这种材料能够在室温下将红外光转换成可见光。这种新工艺在反应效率、生产成本、环境保护、工艺难度等方面均优于传统的热熔工艺。文章给出了红外上转换材料的激励光谱和发射光谱。
龚平
杜力
张大慰
过晓晖
刘英
侯洵
贾炜
关键词:
红外
一类电子俘获型红外可激发材料的制备和光学性质
被引量:21
1997年
采用硫化助熔剂法(SFM)合成了具有红外上转换及光存储特性的稀土激活光子学材料CaS:Eu,Sm和CaS:Ce,Sm.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试了合成材料的物相结构和微观形貌,结果表明,合成材料具有单一相,相纯度在98.5%以上;采用CaCO3制备的合成材料晶化程度更好,生成的晶粒更大.利用荧光光谱仪和分光光度计测量了合成材料的光学性质,结果表明,这类电子俘获材料在紫外线或短波长可见光有效激发下,能通过电子俘获实现光存储,并对近红外光有上转换作用.通过对合成材料及有关稀土元素原子结构分析,提出了两种新的稀土激活剂.
范文慧
王永昌
龚平
过晓晖
张大慰
刘英
侯洵
关键词:
红外
电子陷阱型红外上转换及光存储材料的研究与应用
龚平
一种反光发光复合标牌材料的研究
被引量:1
1997年
反光发光复合标牌,不仅能将光源方向的入射光线回归反射向光源方向,具有反光特性.还能将光源中大量的红外光转换成可见光,具有发光特性.从而使标牌的亮度和可视距离得到提高.
张大慰
龚平
过晓晖
刘英
侯洵
范文慧
关键词:
交通标志牌
在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光
被引量:1
1995年
通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13eV和1.04eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及Frank-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13eV与1.04eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300eV和0.401eV。
高瑛
赵家龙
赵家龙
苏锡安
刘学彦
高鸿楷
龚平
王海滨
关键词:
红外光致发光
砷化镓
硅
衬底
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