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黎俐
作品数:
28
被引量:4
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
文化科学
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合作作者
方健
电子科技大学ic设计中心
杨毓俊
电子科技大学ic设计中心
唐莉芳
电子科技大学
管超
电子科技大学ic设计中心
潘福跃
电子科技大学
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机构
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电子科技大学
作者
28篇
黎俐
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方健
20篇
杨毓俊
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唐莉芳
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管超
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潘福跃
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2013
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2011
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一种集成变压器
本发明公开了一种集成变压器,具体包括初级线圈和次级线圈,所述初级线圈和次级线圈包括至少一个第一导体层导线、至少一个第二导体层导线和至少一个连接孔。本发明利用相邻的两层导体构成的空心互耦线圈形成集成变压器,所述的集成变压器...
方健
杨毓俊
黎俐
唐莉芳
王泽华
柏文斌
陈吕赟
吴琼乐
管超
李曼
梁晨陇
文献传递
用于BOOST变换器中的脉宽控制电路
本发明公开了一种用于BOOST变换器中的脉宽控制电路,具体包括:一V-I变换器、一电容元件、一恒流源、第一反相器、第二反相器、一二输入与门、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管。本发明的脉宽控制电路采用了V-I...
方健
潘福跃
唐莉芳
黎俐
文献传递
RC振荡器
本发明公开了一种RC振荡器,包括:偏置电压产生电路、充放电电流产生电路、充放电电路、外部迟滞电压产生和选通电路、内部迟滞比较器和反馈控制信号产生电路。本发明的RC振荡器采用内外迟滞比较器,使得基准电流和基准电压都随外部电...
方健
唐莉芳
潘福跃
黎俐
文献传递
一种电荷泵电路
本发明公开了一种电荷泵电路,包括:偏置单元、第一充放电单元、第一互补电路单元和第一运放单元,其特征在于,还包括,第二充放电单元、第二互补电路单元和第二运放单元。本发明的电荷泵电路通过第一互补电路单元和第二互补电路单元以及...
方健
黎俐
贾姚瑶
唐莉芳
潘福跃
吴杰
潘华
黄帅
赵前利
文献传递
一种开关电源电路
本发明公开了一种开关电源电路,包括:开关管,第一分压电阻、第二分压电阻,电感元件,续流二极管,负载单元,负载电流检测单元,比较器,D锁存器,模数转换器,数模转换器,PWM工作模式栅驱动电压产生单元,第一放大器,PWM比较...
方健
陶垠波
吴杰
潘福跃
杨毓俊
唐莉芳
黎俐
臧凯旋
文献传递
一种电流采样电路
本实用新型公开了一种电流采样电路,包括第一NMOS管,第二NMOS管,第三NMOS管,第一电阻,其特征在于,还包括第一单端输出运算放大器,第二单端输出运算放大器,第三单端输出运算放大器,第一双端输出运算放大器,第二双端输...
方健
王泽华
吴琼乐
陈吕赟
管超
柏文斌
杨毓俊
黎俐
文献传递
一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源,包括:第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源,提供了一种简单的三...
方健
吴杰
杨毓俊
陶垠波
臧凯旋
唐莉芳
黎俐
潘福跃
谷洪波
文献传递
一种三阶补偿带隙基准电压源
本发明公开了一种三阶补偿带隙基准电压源,包括:第一PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻以及第一放大器。本发明的基准电压源,提供了一种简单的三...
方健
吴杰
杨毓俊
陶垠波
臧凯旋
唐莉芳
黎俐
潘福跃
谷洪波
一种高压LDMOS器件
本发明涉及一种高压LDMOS器件,包括衬底、位于衬底之上的外延层,位于外延层之上靠漏区一侧且下表面与外延层的下表面重合的漂移区,位于LDMOS器件两端的漏区和源区,在衬底和外延层的交界面上跨过外延层的下表面具有交替排列的...
方健
陈吕赟
管超
王泽华
吴琼乐
柏文斌
杨毓俊
黎俐
文献传递
一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种SOI横向绝缘栅双极型晶体管器件,包括衬底、埋氧层、漂移区、第一阴极区、阴极体区、缓冲层、第一阳极区、第二阴极区、阴极金属电极、阳极金属电极、多晶硅栅、氧化层、衬底金属电极,在阳极端的阳极金属电极下表面位置...
方健
陈吕赟
柏文斌
王泽华
吴琼乐
管超
李文昌
于廷江
杨毓俊
黎俐
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