黄海琴
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家留学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法
- 一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法，属于光电子信息领域，解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题，它包括以下步骤：步骤一，用化学清洗方法将石英衬底清洗干净；步骤二，在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂...
- 孙建张希清刘凤娟黄海琴王永生
- ZnGa2O4长余辉发光特性的研究被引量：2
- 2008年
- 以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga3+替代了部分Zn2+后相对变形八面体中Ga3+的2EA→4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0*后变形八面体中氧空位向其周围的O2-的V0*→O2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位,从而多余的的Ga3+出现在这些空位上,其2EA到4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。
- 黄尚永张希清黄海琴姚志刚
- 关键词：长余辉烧结温度发光特性
- MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究被引量：5
- 2008年
- 用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579cm-1)和2LO(1152cm-1)两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。
- 蓝镇立张希清杨广武孙建刘凤娟黄海琴张蕊殷鹏刚郭林宋宇晨
- 关键词：ZNO薄膜光致发光RAMAN散射
- MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法
- MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层Mg<Sub...
- 张希清刘凤娟胡佐富黄海琴王永生
- 文献传递
- 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
- 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，...
- 张希清孙建黄海琴刘凤娟胡佐富赵建伟
- 文献传递
- 光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传...
- 张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
- 文献传递
- ZnO基薄膜晶体管的研制
- ZnO基薄膜晶体管因其在平板显示器领域的广泛应用前景而吸引了越来越多的关注和研究。由于ZnO中存在O空位、Zn填隙等缺陷,因此常规制备的未掺杂ZnO趋向于具有较大的载流子浓度,这使得制备的ZnO-TFT关态电流较大,易为...
- 黄海琴
- 关键词：氧化锌MGZNO薄膜晶体管
- 文献传递
- 光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上，衬底(3)的对面或侧壁上，设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为：1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传...
- 张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
- 文献传递
- 六角形氧化锌单晶的生长和发光特性的研究
- 近年来,宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)受到了广泛的关注.由于ZnO的禁带宽度达3.37ev,具有良好的光学性能.ZnO材料被认为是制备如紫外LED,激光二极管,紫外光电探测器的优良材料[1-3].从一定程度来说,ZnO...
- 李振军胡佐富刘凤娟黄海琴张希清
- 在SiO<Sub>2</Sub>衬底上生长ZnO薄膜的方法
- 本发明公开了一种在SiO<Sub>2</Sub>衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO<Sub>2</Sub>(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过...
- 张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
- 文献传递
