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高洪海

作品数：10 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 5篇腔面
  • 5篇面发射
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面
  • 5篇垂直腔面发射
  • 3篇砷化镓
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇发射激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇INGAAS...
  • 3篇垂直腔面发射...
  • 2篇低阈值
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳激光器
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇VCSEL
  • 2篇ALGAAS

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇吉林大学

作者

  • 10篇高洪海
  • 7篇林世鸣
  • 6篇高俊华
  • 5篇康学军
  • 4篇王红杰
  • 4篇吴荣汉
  • 3篇高文智
  • 3篇吕卉
  • 2篇芦秀玲
  • 2篇马朝华
  • 2篇赵永生
  • 2篇高鼎三
  • 2篇杜云
  • 2篇王启明
  • 2篇姜秀英
  • 2篇张权生
  • 2篇杜国同
  • 2篇刘素平
  • 2篇刘颖
  • 2篇张晓波

传媒

  • 6篇Journa...
  • 2篇高技术通讯
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 5篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1989
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器被引量：4
1994年
通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。
林世鸣吴荣汉黄永箴潘钟高洪海王启明段海龙高文智罗丽萍王立轩
关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量：4
1992年
一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
张权生吴荣汉林世鸣高洪海高文智吕卉韩勤段海龙杜云芦秀玲
关键词：双稳激光器INGAASP/INP
Zn扩散工艺在降低VCSELp型DBR串联电阻中的应用被引量：2
1996年
垂直腔面发射激光器Ｐ型λ／４分布布喇格反射镜由于在ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ材料λ／４堆积层界面处存在大的势垒差，使得ｐ型ＤＢＲ串联电阻很大。文章报道一种利用Ｚｎ扩散工艺，使ＡｌＡｓ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓλ／４堆积层Ａｌ，Ｇａ互扩散，形成ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ混熔层或在界面处形成Ａｌ，Ｇａ组分渐变的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ缓变层，从而降低ｐ型ＤＢＲ串联电阻的方法。利用这种方法。
高洪海高俊华林世鸣康学军王红杰王立轩
关键词：半导体器件
由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器被引量：5
1996年
本文报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射半导体激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡＳ经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并制成了２×３列阵器件。
康学军林世鸣高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
关键词：VCSELS激光器砷化镓ALGAAS
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
1995年
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
1993年
在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
张权生吕卉杜云马朝华吴荣汉高洪海高文智芦秀玲
关键词：半导体激光器INGAASP/INP
X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用
1996年
本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．
林世鸣高洪海张春辉吴荣汉庄岩王玉田
关键词：DBRVCSELX射线双晶衍射激光器
室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵被引量：1
1996年
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。
林世鸣康学军高俊华高洪海王启明王红杰王立轩张春晖
关键词：垂直腔面发射激光器氧化法砷化镓ALGAAS
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
关键词：INGAAS面发射激光器
1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器被引量：2
1989年
用两次液相外延制备了1.5μm InGaAsP/InP脊型波导分布反馈激光器.室温下无扭折直流光功率超过6mW,阈值电流为34mA,单面外微分量子效率高达33％.在室温附近的稳定单纵模工作温度范围超过43℃,波长温度系数为0.9A/K.在1.6mW输出光功率下的静态线宽为60MHz.在1GHz正弦调制下仍为单纵模输出.
王圩张静媛田慧良缪育博汪孝杰马朝华王丽明吕卉高俊华高洪海
关键词：激光器波导
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