您的位置: 专家智库 > >

马奎

作品数:84 被引量:53H指数:4
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:贵州省科学技术基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 51篇专利
  • 32篇期刊文章

领域

  • 35篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇电路
  • 11篇芯片
  • 11篇半导体
  • 9篇驱动电路
  • 8篇占空比
  • 7篇信号
  • 7篇热保护
  • 7篇功率
  • 7篇过热保护
  • 6篇时钟
  • 6篇集成电路
  • 6篇集成度
  • 6篇溅射
  • 6篇功率VDMO...
  • 6篇掺杂
  • 6篇磁控
  • 5篇整流
  • 5篇散热
  • 5篇射频磁控
  • 5篇射频磁控溅射

机构

  • 83篇贵州大学
  • 7篇贵州省微纳电...
  • 5篇教育部
  • 2篇贵州振华风光...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇牛芯半导体(...

作者

  • 83篇马奎
  • 72篇杨发顺
  • 44篇傅兴华
  • 30篇林洁馨
  • 10篇丁召
  • 6篇唐昭焕
  • 5篇王建卫
  • 5篇黄连帅
  • 4篇梁蓓
  • 4篇孙河山
  • 3篇姜艳
  • 3篇文静
  • 3篇李义
  • 3篇杨健
  • 3篇周章渝
  • 3篇李铭
  • 3篇王松
  • 3篇王星云
  • 2篇龚红
  • 2篇刘娇

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 5篇微电子学与计...
  • 4篇微电子学
  • 3篇现代电子技术
  • 3篇电子设计工程
  • 3篇智能计算机与...
  • 2篇电子技术应用
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 10篇2017
  • 6篇2016
  • 10篇2015
  • 2篇2014
  • 10篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 3篇2009
84 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁控溅射功率对β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响被引量:1
2022年
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga_(2)O_(3)薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响. X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学特性的影响.光学特性方面,薄膜吸光度随着波长的增加,先升高后下降、再升高再下降,最后吸收边在700 nm附近截止,不同溅射功率制备的薄膜吸收光谱都存在两个吸收峰.
冉景杨高灿灿马奎杨发顺
关键词:射频磁控溅射溅射功率晶粒尺寸
一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究被引量:1
2016年
在单晶硅衬底上,通过三次外延和两次选择性掺杂,实现了一种新型的半绝缘结构。其中有一个隔离岛和衬底之间是非绝缘的,将纵向器件制作在此隔离岛中将不需要额外的体引出结构。相邻的隔离岛之间可通过反向偏置的pn结进行隔离,也可由填充二氧化硅和非掺杂多晶硅形成的介质隔离槽实现隔离。在外延层中进行多次选择性地掺杂反型杂质,经高温退火后形成夹层,将此夹层引出到硅片表面后偏置在合适的电位即可实现顶层和底层之间的隔离。电参数测试得到外延层和夹层之间形成的pn结的耐压为179 V,介质隔离槽的耐压为138 V。SEM图像显示介质隔离槽得到很好地实现。
马奎杨发顺
关键词:半绝缘
一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件
本实用新型公开了一种基于倒阱工艺的功率MOSFET器件,它包括衬底材料,所述衬底材料上覆盖有第一外延层;第一外延层上覆盖有第二外延层;体区位于第一外延层和第二外延层之间;体区的上部二侧为源区;本实用新型一方面增加了体区的...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
文献传递
一种制备硼化镁超导薄膜的装置
本实用新型公开了一种制备硼化镁超导薄膜的装置,它包括沉积腔室,鼓泡计通过管道与沉积腔室连通,混气装置通过管道与沉积腔室连通,沉积腔室与废气处理装置连通;本实用新型解决了现有技术在制备多层MgB<Sub>2</Sub>超导...
傅兴华王松周章渝杨发顺马奎杨健王星云
文献传递
高精度低漂移集成电压基准源电路
本发明公开了一种高精度低漂移集成电压基准源电路,它包括PTAT产生电路(1),用于产生PTAT电流;电压提升电路(2),用于提升PTAT电压,实现了电路的启动隔离;电流反馈电路(3),用于稳定输出电压,提高其电流的温度稳...
马奎杨发顺丁召傅兴华林洁馨
文献传递
一种汽车电压调节电路
本发明公开了一种汽车电压调节电路,包括电源模块与数模转换器、软启动电路、安全保护电路、指示灯驱动电路和励磁驱动电路连接;系统时钟与计数器连接;计数器与数模转换器和脉冲发生器连接;数模转换器与比较器连接;采样电路与滤波电路...
傅兴华马奎杨发顺王建卫黄连帅
一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法
本发明公开了一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法,它包括步骤1、喷淋及浸泡:将存储后的半导体硅片进行喷淋及浸泡;步骤2、煮一号液:使用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液对浸泡后的半导体硅片进行清洗;步骤3、冲水...
唐昭焕杨发顺马奎林洁馨傅兴华
文献传递
双通道零漂移精密集成运算放大器设计
2023年
设计了一种双通道、零漂移、高精密的轨对轨运算放大器,该运算放大器结合了自动调零技术与乒乓架构,对信号进行连续处理的同时也避免了互调失真的产生。整体电路结构主要包括:主运算放大器、调零运算放大器、频率补偿电路、开关电路、振荡器、非交叠时钟电路以及基准电路。其中,基准电路、振荡器,非交叠时钟电路为共用模块,其余部分在双通道中独立工作。基于Cadence软件,采用国内0.6μm BCD工艺进行仿真设计,结果表明,在5 V的电源电压条件下,实现的性能指标为:输入失调电压<3.6μV,失调电压漂移<0.007μV/℃,开环增益>125 dB,共模抑制比>135 dB,电源抑制比>117 dB,增益带宽积>1.46 MHz,同时能够实现轨对轨输入输出。
杨朝辉李文马奎马奎
关键词:零漂移高精密自动调零
基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构
本发明公开了一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构,它包括:顶层芯片、中间层芯片和底层芯片,其特征在于:所述顶层芯片、中间层芯片和底层芯片重叠放置,顶层芯片、中间层芯片和底层芯片通过SiO<Sub>2</Sub>与...
马奎杨发顺杨勋勇王勇勇施建磊韩志康
文献传递
一种分段线性恒流LED驱动电路
本发明公开了一种分段线性恒流LED驱动电路,它包括整流桥对220V/50Hz的正弦电压波形进行全波整流,与高压稳压降压电路和LED灯串连接;高压稳压降压电路:利用高压LDMOS管对RC电路充电,通过线性稳压电路得到稳定输...
杨发顺马奎苏艺俊
文献传递
共9页<123456789>
聚类工具0