韦素芬
- 作品数：23 被引量：8H指数：2
- 供职机构：集美大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术自然科学总论文化科学更多>>
- 杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
- 2021年
- 采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器件建立二维阈值电压解析模型。通过与Sentaurus Device器件仿真结果对比分析,发现:阈值电压模型能准确预测器件在不同掺杂、器件厚度和偏置电压下的阈值电压,正确反映器件的背栅效应,其模拟结果与理论模型相符。
- 韦素芬陈红霞李诗勤黄长斌刘璟
- 关键词：高斯分布阈值电压
- 低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法
- 本发明涉及集成电路器件技术领域，设计/研究具体为低漏电流、大阻值比的MgO纳米线RRAM及其制造方法，本发明的MgO纳米线RRAM设计具有纳米线结构MgO阻变层，纳米线使MgO带隙提高而更有效抑制漏电流，纳米线结构使得R...
- 潘金艳高云龙李明逵李铁军黄辉祥袁占生韦素芬
- 文献传递
- 一种用电流差值来检测互连线全开路缺陷的方法
- 本发明公开了一种用电流差值来检测互连线全开路缺陷的方法。包括以下步骤：首先针对疑似存在开路缺陷的金属线，生成两个特意形式的测试图样；顺序地加载两个测试图样，ATE设备在第二个测试图样加载之后的两个规定的时间进行电流测量；...
- 韦素芬唐凯
- 一种基于离子注入的p型多晶β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法及应用
- 本发明公开了一种基于离子注入的p型多晶β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法，以高能量注入超大剂量的氧正离子，在离子注入深度内，使O：Ga的原子比例大于等于β‑Ga<Sub>2</Sub...
- 施倩倩韦素芬李明逵柴智陈涛吴梦春
- 智能仪器课程教学改革的实践与探索被引量：5
- 2011年
- 以培养学生创新意识及实际应用能力,提高学生就业竞争力和可持续发展能力为目标,对智能仪器课程教学内容、实验内容及教学方法等进行改革探索:引进案例教学方法,改革教学模式,激发学生的学习热情;不断调整教学内容,在保证系统基本架构完整的基础上,实时更新扩展教学内容;进行综合性实验,培养学生综合应用能力.
- 曾桂英韦素芬
- 关键词：智能仪器教学改革案例教学
- 溅射温度调制氧化镓生长结构及光透射
- 2023年
- 采用射频磁控溅射法,在(0001)蓝宝石衬底上制备了超宽带隙Ga 2 O 3薄膜。在功率200 W、用时20 min、氧气和氩气气氛(氧气2.5%)总流量40 mL/min,以及不同的溅射温度(25℃(室温)、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃)下,分别制备了Ga_(2)O_(3)薄膜。发现随着温度从室温到600℃,薄膜结构与溅射温度有强相关关系。扫描电子显微镜(SEM)测试结果显示,当溅射温度在200~300℃,Ga_(2)O_(3)薄膜截面逐渐产生柱状结构,且柱状结构随温度升高而变得更明显,即柱径和边缘间隙随温度升高而减小,当温度升高到400℃及以上,柱状结构开始转变为连续薄膜结构。X射线衍射(XRD)结果显示,升高温度对于柱状结构转变的影响与SEM测试结果一致。用薄膜生长机制模型(SK生长模型)来解释柱状结构的出现、生长、消失的机制,提出光波导的概念来阐释柱状结构在蓝光频段具更高透光性的原因,突显氧化镓作为蓝光LED钝化层的应用优势。
- 刘毅韦素芬单婵吴梦春陈红霞刘璟李明逵
- 关键词：磁控溅射氧化镓
- 深亚微米SOC设计的去耦电容优化方法学被引量：2
- 2010年
- 随着集成电路工艺尺寸进入超深亚微米数量级,电源电压相应降低,而时钟频率却不断提高,电源网格中的动态电流变化率越来越大,使得动态电源压降(IR Drop)的问题更突出。在这种工艺按比例缩小的趋势下,去耦电容(decap电容)在电源网格中的合理布局的作用日益明显:以优化的方式放置decap电容来有效地减小电源噪声。文章介绍基于动态电源压降分析的VSDG和SOC-Encounter相结合的去耦电容优化方法学。
- 韦素芬梁宇
- 关键词：去耦电容电源噪声电源网格
- 纳米工艺下集成电路物理集成设计人才的培养探索
- 2015年
- 本文介绍16nm FinFET工艺下集成电路的物理集成流程,分析了先进工艺下物理集成工程师所面临的问题和挑战。为了更好地适应新的要求,对我国高校IC人才培养的相关环节提出了探索性的建议。
- 林远镇韦素芬潘金艳
- 一种基于光波导效应的氧化镓薄膜及其制备方法
- 本发明提供了一种基于光波导效应的氧化镓薄膜及其制备方法，该制备方法通过限定薄膜中晶体的形态来提升氧化镓薄膜在特定入射光频段透射率的方法。包括如下步骤：第一步，采用磁控溅射的射频模式，保持本底真空、工作压力、溅射功率、时长...
- 韦素芬刘毅李明逵柴智陈杰黄保勋许嘉巡连水养
- 一种通过低键能N<Sub>2</Sub>O热氧化制备高质量稳态β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的方法
- 本发明公开了一种通过低键能N<Sub>2</Sub>O热氧化制备高质量稳态β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜的制备方法，是在蓝宝石衬底上形成GaN膜层，然后在GaN膜层上生长一层Ga<Sub>...
- 刘毅韦素芬李明逵
