鞠家欣
- 作品数：46 被引量：26H指数：3
- 供职机构：北方工业大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”北京市重点实验室四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 系统电源中保持开关稳定的临界模式控制器的设计
- 开关电源中在动态负载的情况下为保持开关稳定，需要将电源系统设计在临界模式下工作。本文以FLYBACK拓扑结构为例，分析了临界状态产生的原理，并根据非连续模式和连续工作模式对应的极点和零点，提出了基于开关频率调整的临界模式...
- 姜岩峰张晓波杨兵鞠家欣
- 关键词：开关电源系统设计拓扑结构SPICE模拟
- 文献传递
- 液晶显示系统时序控制TCON芯片的ESD防护研究
- 2013年
- TCON芯片负责液晶显示系统驱动电路的时序控制,与外部显示屏连接时承受巨大的ESD冲击。本文通过设计合理的TCON芯片内部ESD防护电路,提出一种新颖的在片式ESD防护结构,降低ESD冲击对核心电路的不良影响,并经流片测试,数据与防护理论预期基本相符。
- 张晋芳王勇鞠家欣朱宇帅贾有平
- 关键词：ESD
- 探索微电子专业实践教学新方法——以参加“北京大学生集成电路设计大赛”为例被引量：1
- 2016年
- 通过改革微电子专业传统实践教学方法,以学生参加学科竞赛为抓手,采取"以赛促学、赛学结合"的方式培养学生实际动手能力和工程化设计思想,具有十分重要的理论和现实意义,也是探索微电子专业实践教学新方法的一次尝试。
- 鞠家欣张静张晓波杨兵孙海燕
- 关键词：微电子集成电路设计大赛实践教学
- 一种12bit CMOS全差分SAR ADC被引量：6
- 2014年
- 本文设计一种12bit CMOS全差分SAR ADC,分析了其电路原理和结构,阐述各部分电路对ADC性能的影响,提出新型DAC_SUB电阻串和时间自调节比较器结构,并推算VCM抖动对电路的影响。基于TSMC 0.18μm 1.8V/3.3V CMOS工艺,采用全差分阻容混合式结构,实现ADC设计。本设计ADC的核心版图尺寸为390um×780um,测试结果显示,在1MS/s采样率下,当输入信号频率为31.37kHz时,该ADC的ENOB达到10.76Bit,功耗约为2mW。
- 黄玲姜岩峰鞠家欣韩智毅张慧泉陈冠旭
- 关键词：全差分
- 获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质
- 本发明提供一种获取电热安全工作区的方法、装置及计算机可读存储介质，应用于栅极接地N沟道场效应晶体管结构的静电放电保护器件。本发明获取电热安全工作区的方法包括：根据静电放电保护器件的结构，构造等效热路模型，获取最大安全耗散...
- 鞠家欣
- 文献传递
- 4H-SiCMESFET频率特性研究被引量：1
- 2003年
- 研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟道掺杂为4×1017cm-3、沟道厚度为0.25mm、栅长0.30mm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率fT达到18.62GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景。
- 秦建勋卢豫曾鞠家欣
- 关键词：频率特性4H-SICMESFET截止频率
- 一种基于SEPIC架构的新型LED照明调光电路被引量：2
- 2012年
- 提出一种基于SEPIC架构的新型调光技术。通过外接可调电阻(调节范围为154Ω～14.5kΩ)来改变功率因数(PF),使功率因数从0.7到1变化,实现了LED调光。此时,输出电流随功率因数的改变呈线性变化趋势,在130～465mA范围内相应变化,适用于照明调光应用。电路基于CSMC 0.5μm 40VBCD工艺,版图尺寸为1mm×1mm。通过实验,证明了设计的可行性,且实测数据与理论趋势相符合,转换效率均维持在92.7%以上,最高可达94%以上。
- 孟璐姜岩峰鞠家欣
- 关键词：调光功率因数
- 碳化硅金属—半导体场效应晶体管特性模拟研究
- 该论文的工作是用MEDICI软件对SiC-MESFET的输出特性、转移特性、击穿电压、频率特性、功率特性进行模拟研究和分析,着重研究了4H-SiC MESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系.发现常温300K时,4...
- 鞠家欣
- 关键词：碳化硅频率特性功率特性
- 文献传递
- 一种自动检测设置死区时间的电路设计
- 2012年
- 本文推出一种自动设置死区时间的控制器。该控制器采用栅源电压差与阈值电压相比较的工作原理,得到的输出信号分别控制彼此栅极电平,确保上下桥臂不同时导通。为加速比较信号的反应,比较器电路中运用正反馈特性。最后,在感性负载下,给出阈值电压为1.2V时,死区时间的仿真和实验结果,仿真采用华润上华0.5μm CMOS工艺实现。电路设计简单,驱动电路也不要额外设置死区时间。
- 黄海平姜岩峰鞠家欣
- 关键词：半桥电路死区时间阈值电压比较器正反馈
- 微电子专业实践教学与学科竞赛互动研究与探索--以'北京大学生集成电路设计大赛'为例
- 电子专业实践教学通过学科竞赛,改进实践教学方法和教学内容,培养学生具备设计工程化能力和系统性理念.实践教学依托学科竞赛的工程性设计项目,以赛促学,学赛融合,全面训练学生掌握集成电路设计一般性方法和技能,探索一种新型的人才...
- 鞠家欣鲍嘉明杨兵张晓波
- 关键词：微电子专业实践教学学科竞赛
- 文献传递
