陈茜 作品数:70 被引量:146 H指数:8 供职机构: 贵州大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 教育部留学回国人员科研启动基金 贵州省优秀科技教育人才省长资金项目 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 自动化与计算机技术 金属学及工艺 更多>>
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究 2012年 采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加. 沈向前 谢泉 肖清泉 陈茜 丰云关键词:磁控溅射 辉光放电 计算机模拟 基于MATLAB的ΣΔADC系统设计及仿真 被引量:6 2008年 介绍了基于MATLAB/SIMULINK的ΣΔADC的行为级建模与仿真方法,通过该方法有效确定了系统结构及相关模块参数,然后在Cadence环境下对ΣΔ调制器进行了电路级验证。研究结果表明该方法是有效、可靠的,并且可以重复修改系统结构及相关参数,得到不同结构及参数对系统的影响。 陈茜 王锦荣 傅兴华关键词:MATLAB EA调制器 数字滤波器 系统设计 仿真 一种发光二极管及其制备方法 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法,它包括衬底,衬底的刻蚀处设置有n电极,衬底的上表面为n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜,n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的上表面为p‑Mg<Sub>2</Sub>Si... 谢泉 廖杨芳 杨云良 肖清泉 张宝晖 梁枫 王善兰 吴宏仙 张晋敏 陈茜 谢晶 范梦慧 黄晋 章竞予文献传递 Ca2Si电子结构和光学性质的研究 被引量:12 2007年 采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质,其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体,正交相结构有一个直接的带隙,并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体,并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。 杨创华 谢泉 赵凤娟 陈茜 肖清泉关键词:第一性原理计算 电子结构 光学性质 n-β-FeSi_2/p-Si异质结太阳电池的模拟及优化 2016年 运用AMPS-1D软件对n-β-FeSi_2/p-Si结构的异质结太阳电池进行模拟,分别讨论了在其他参数不变的情况下,改变β-FeSi_2层的厚度、β-FeSi_2层的掺杂浓度以及改变太阳电池的工作温度对电池性能的影响。模拟结果表明:β-FeSi_2层厚度增加时,转换效率和短路电流有较大的提高;开路电压也略有提升;填充因子则随着厚度的增加呈下降趋势。β-FeSi_2层掺杂浓度增加时,转换效率和开路电压有较大的提高;短路电流略微有所减小;而填充因子则先增加后减小,最后趋于稳定。工作温度增加时,转换效率和填充因子减小,而短路电流和开路电压则增大。经过优化参数,该结构的太阳电池转换效率达到26.241%。 陈侃 陈茜 陈庆 谢泉 肖清泉 张晋敏 熊锡成关键词:太阳电池 光伏特性 一种新型热蒸发镀膜器及其使用方法 本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器,其特征在于:圆台式垂直筒(304)下端连接支架(309),放置于镀膜器底盘上,圆台式垂直筒(304)下口直径大于挡板(305)直径及钨舟(307)的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进... 谢泉 吴宏仙 张晋敏 廖杨芳 房迪 王善兰 刘小军 梁枫 肖清泉 陈茜文献传递 基于MSC Marc的空气弹簧垂向特性有限元分析 被引量:5 2006年 介绍不同类型的空气弹簧结构型式,利用有限元软件MSCMarc建立空气弹簧的有限元模型,并对其进行垂向特性的分析和计算.最后得出空气弹簧垂向刚度非线性特性的确切描述,并分析传统的弹簧与空气弹簧自振频率随载荷变化的特性. 杨贵春 何锋 陈茜 陈松 杨升关键词:空气弹簧 MSC MARC 垂向特性 刚度 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺 本发明公开了一种单一相Mg<Sub>2</Sub>Si半导体薄膜的制备工艺,它包括以下过程:第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上,Mg颗粒放置在蒸发坩埚内,进行蒸... 谢泉 肖清泉 余宏 陈茜 张晋敏Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备 被引量:10 2013年 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1~10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。 余宏 谢泉 肖清泉 陈茜关键词:热蒸发 退火时间 一种新型热蒸发镀膜器 本实用新型公开了一种新型热蒸发镀膜器,其特征在于:圆台式垂直筒(304)下端连接支架(309),放置于镀膜器底盘上,圆台式垂直筒(304)下口直径大于挡板(305)直径及钨舟(307)的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行... 谢泉 吴宏仙 张晋敏 廖杨芳 房迪 王善兰 刘小军 梁枫 肖清泉 陈茜文献传递