陈宏江
- 作品数：13 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金博士科研启动基金浙江省公益性技术应用研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 宽带基片集成裂缝波导空间功率合成器被引量：2
- 2010年
- 谐振式裂缝波导空间功率合成器,尽管有较高的合成效率,然而其狭窄的工作带宽(3 dB相对带宽不到5%)、繁琐的机械加工工艺和笨重的体积等缺点,极大地限制了它的进一步应用。为了克服以上缺点,采用行波技术和基片集成波导(SIW)技术,研制出了轻便的宽带基片集成裂缝波导空间功率合成器,它的相对工作带宽可达到30%以上,加工工艺为传统的平面工艺,其尺寸、重量和加工成本大幅减小,加工精度和生产效率大幅提高。
- 骆新江官伯然陈宏江吴景峰
- 关键词：功率分配器功率合成器基片集成波导空间功率合成
- 高耐压功率GaAs MESFET的研究与制备
- 砷化镓(GaAs)金属—半导体场效应晶体管(MESFET)是一种重要的GaAs器件，广泛的应用于无线通讯、信息技术和相控阵雷达等众多领域。栅漏击穿电压(BVgd)是GaAsMESFET的重要性能指标之一。目前国内GaAs...
- 陈宏江
- 关键词：GAASMESFET砷化镓半导体场效应晶体管GAAS器件
- 文献传递
- GaN外延材料测试技术的研究
- 2008年
- 分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法。
- 刘岳巍陈宏江高蒙张志国高金环闫德利杨勇
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管原子力显微镜
- 微波倍频器的设计与研制被引量：2
- 2010年
- 针对微波倍频器的实现途径,介绍了阶跃管倍频和三极管倍频的原理,其中三端非线性电阻微波倍频器可实现有增益倍频,且倍频效率高,稳定性好,在现代通信系统中有着广泛的应用前景。应用ADS软件对倍频电路进行优化仿真,利用集总参数电容和电感对阻抗进行匹配,设计利用晶体三极管通过两次4倍频实现了L波段16倍频,最终成功研制出性能优良的L波段16倍频器,输出功率10.67 dBm,杂波抑制>75 dB,谐波抑制>60 dB,电流仅为120 mA,频谱纯净度较好,温度稳定性较高,能够有效实现倍频功能,满足微波频率源系统的使用要求。
- 吴小帅张强陈宏江
- 关键词：微波阶跃恢复二极管三极管增益
- 特定相位高功率开关的研制
- 2010年
- 为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计。用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL<0.6 dB,隔离大于40 dB,传输相位和反射相位小于5°,输入输出驻波比小于1.3。结果表明,微带线的尺寸不仅影响开关的传输相位和反射相位,还影响开关的插入损耗,微带线的调整在改善相位的同时,也有可能会使开关的插入损耗变差,反射相位的改变会同时影响传输相位和插入损耗的大小。揭示了开关传输反射相位、插入损耗和微带线尺寸之间的相互联系,通过测量比较,研究了接插件对相位带来的影响,讨论了开关的大功率设计方法。
- 李涛吴景峰陈宏江
- 关键词：高功率S波段开关仿真
- 基于场分量匹配法的毫米波波导-同轴过渡
- 2011年
- 基于场分量匹配法研制了毫米波波导-同轴过渡。采用了四级阶梯阻抗变换结构改善转换的阻抗匹配,增加工作带宽,降低回波损耗;并且利用从波导短路面插入同轴探针来实现波导到同轴转换,以达到低插损、宽带宽等目的。最后利用CST仿真软件进行仿真分析和优化设计,并根据仿真设计结果制作出产品,产品测试结果与仿真设计值相符。
- 陈宏江张洪林
- 关键词：波导同轴探针毫米波
- 32路X波段径向波导空间功率合成系统研制被引量：7
- 2011年
- 为突破单个固态功率器件在微波毫米波频段功率输出能力较低的限制,我们根据径向波导中主模TM00波电磁场的轴向对称性,提出了径向波导空间功率合成技术。并利用HFSS(高频电磁场仿真软件)和ADS(高级设计系统)软件,研制出了一款32路X波段径向波导空间功率合成系统。仿真和实验证明,从8.6GHz至12.3GHz,这种径向波导无源空间功率合成系统的插入损耗小于1dB,反射损耗小于-15dB,合成效率大于80%。
- 骆新江官伯然陈宏江申胜起孙聂枫
- 关键词：空间功率合成器径向波导
- GaAs基插入结构高击穿电压功率场效应晶体管研制
- 杨瑞霞袁炳辉何大为武一宾张志国陈宏江
- 该项目是河北省自然科学基金资助项目。针对目前国产GaAsMESFET击穿电压低的问题，以改善GaAs MESFET击穿特性、提高器件可靠性和稳定性为目的，研究了GaAs MESFET的击穿机理，设计了一种带插入层的MES...
- 关键词：
- 关键词：晶体管击穿电压
- GaAs MISFET制备中的选择性腐蚀研究被引量：1
- 2005年
- 研究了体积比为1:1到10:1的50%柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/AlxGa(?)-xAs结构腐蚀的选择特性, 用α台阶仪、原子力显微镜(AFM)等方法研究了腐蚀样品表面的微观形貌。利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。
- 陈宏江杨瑞霞武一宾杨克武
- 关键词：柠檬酸金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
- 显微立体视觉系统中立体匹配的研究
- 随着科学技术的发展,许多领域越来越迫切地需要微型系统或微动系统,如生物细胞、聚合物的各种操作、微外科手术、扫描探针显微镜SPM、光纤对接和微细加工等;而且随着微技术的不断发展,以形状尺寸微小、操作尺度极小为特征的微机械已...
- 陈宏江
- 关键词：显微立体视觉特征提取边缘检测
- 文献传递
