阎军峰
- 作品数：11 被引量：47H指数：4
- 供职机构：西北大学信息科学与技术学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目西安应用材料创新基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 纳米MgO-ZnO合金的第一性原理研究
- 在广义梯度近似(GGA)下,采用基于密度泛函理论框架下的虚拟晶体近似(VCA)方法,计算了不同Mg摩尔比的MgxZnl-xO半导体合金材料的晶格常数、能带结构、态密度以及带隙参数的变化规律.结果表明:在MgxZnl-xO...
- 张威虎张富春张志勇阎军峰邓周虎杨延宁
- 关键词：第一性原理纳米合金密度泛函半导体材料
- 文献传递
- PbxSr1-xTiO3的电子结构被引量：1
- 2009年
- 在广义梯度近似下,采用基于密度泛函理论框架下的超软赝势平面波和虚拟晶体近似方法,计算了不同Pb/Sr摩尔比的PbxSr1-xTiO3(PST)固溶体的精细结构,确定了A位离子在铁电相的平衡构型.利用虚拟晶体近似方法分别计算了摩尔比x为0.6、0.7的PbxSr1-xTiO3精细结构.结果表明,在钛酸锶铅固溶体中,随着Pb的摩尔比增大,晶胞体积膨胀,c/a值增大.当0.6
- 张富春张志勇张威虎阎军峰贠江妮
- 关键词：铁电性密度泛函理论
- 理论研究ZnO掺杂Al;Ga;In电子结构与光学属性(英文)
- 2009年
- 计算了Ga、Al、In掺杂对ZnO体系电子结构和光学性质的影响。所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:Ga、Al、In掺杂在ZnO中占据了Zn位置,为n型浅施主掺杂,导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率。同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料。同时,计算结果为我们制备基于ZnO透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制ZnO透明导电材料的生长过程提供了可能性。
- 张威虎张富春张志勇阎军峰贠江妮
- 关键词：ZNO第一性原理掺杂密度泛函理论
- CdO电子结构的第一性原理计算
- 采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算了岩盐、氯化铯以及纤锌矿构型CdO的体相结构、电子结构和能量等属性。利用精确计算的能带结构和态密...
- 张富春张志勇张威虎阎军峰筼江妮李卫东
- 关键词：电子结构第一性原理密度泛函
- 文献传递
- 应力条件下ZnO电子结构的第一性原理研究被引量：4
- 2006年
- 计算了外压调制下ZnO体系电子结构特性,分析了外压对ZnO电子结构的影响。所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结果表明:随着压力的逐渐增大,Zn—O键长缩短,价带与导带分别向低能和高能方向漂移,带内各峰发生小的劈裂,带隙Eg明显展宽,Zn的3d电子与O的2p电子杂化增强。
- 张富春邓周虎允江妮阎军峰张威虎张志勇
- 关键词：ZNO第一性原理电子结构应力
- In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：8
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性.研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性。
- 张富春张志勇张威虎阎军峰贠江妮
- 关键词：IN2O3光学性质电子结构第一性原理
- GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征被引量：3
- 2009年
- 采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射(XRD)分析及选区衍射分析(SAED)表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜;XPS分析其表面,结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在,且Ga:N约为1:1;PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
- 王珊珊王雪文阎军峰邓周虎段晓峰赵武张志勇
- 关键词：氮化镓薄膜溶胶-凝胶
- AZO(ZnO:Al)电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量：24
- 2009年
- 计算了不同Al掺杂浓度下ZnO体系电子结构和光学属性。分析了掺杂对AZO(ZnO:Al)晶体结构、能带,态密度、光学性质的影响,所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一原理平面波赝势方法。计算结果表明:Al掺杂ZnO在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子,明显提高了体系的电导率,费米能级进入导带。同时,光学性质的计算表明光学带隙明显展宽,且向低能方向漂移;AZO透明导电材料的光学透过率在可见光范围内高达85%,紫外吸收限随着掺杂浓度的增加而发生蓝移。所有计算表明AZO材料可作为优良的透明导电薄膜材料。
- 张富春张志勇张威虎阎军峰贠江妮
- 关键词：第一性原理电子结构透明导电薄膜
- 金刚石粉阴极的均匀性及其场发射性能研究被引量：2
- 2006年
- 目的研究金刚石场发射阴极处理工艺对场发射电流和阈值电压的影响。方法设计了一个将金刚石粉热粘到金属钛表面的工艺,用XRD和SEM分析不同的金刚石纳米粉超声分散液时热粘结的状况:研究样品的场发射性能。结果用丙酮分散时的粘结表面非常均匀;经氢等离子体处理的表面均匀样品场发射阈值电压为0．5V／μm。结论丙酮分散的纳米金刚石粉热粘接到钛金属表面构成的金刚石粉场发射阴极可以降低发射阈值电压;不同等离子体处理工艺可以改变场发射电流。
- 邓周虎王雪文翟春雪赵武阎军峰张志勇
- 关键词：阈值电压场发射阴极
- nc-Si∶H薄膜的制备及特性表征被引量：5
- 2002年
- 利用等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅(nc-Si∶H)薄膜材料,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪对成膜的状态进行了表征。用红外吸收光谱仪对不同工艺薄膜的结构进行了分析,研究了偏压对薄膜结构的影响,为纳米硅薄膜在光电子方面的应用提供可靠的依据。
- 张志勇王雪文赵武阎军峰戴琨
- 关键词：纳米硅薄膜
