金泗轩
- 作品数：23 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜被引量：2
- 1996年
- 报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。
- 童玉珍张国义徐自亮党小忠杨志坚金泗轩刘弘度王舒民
- 关键词：半导体薄膜金属有机物化学汽相淀积
- 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的方法及其装置
- 本发明提出了一种用于生长氮化镓(GaN)及其有关化合物单晶薄膜的方法及其装置。同轴双管分流器把NH<Sub>3</Sub>气与Ⅲ族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相...
- 张国义童玉珍党小忠金泗轩
- 文献传递
- 浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷
- 1994年
- 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
- 陈开茅金泗轩邱素娟吕云安何梅芬兰李桥
- 关键词：砷化镓Γ辐射
- 少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱
- 1994年
- 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ＿（０１）（０．２９８），Ｅ＿（０２）（０．３４１），Ｅ＿（０３）（０．５５５）和Ｅ＿（０４）（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇＿（０３）（０．５４）和Ｈ″＿（０３）（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。
- 陈开茅金泗轩邱素娟
- 关键词：砷化镓离子注入空穴
- 固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应
- 1996年
- 研究了非掺杂固体C_(60)与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C_(60)/n-Si和C_(60)/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的固体C_(60)膜的电子亲合能为3.92eV,禁带宽度小于1.72eV,高频电容-电压(C-V)测量表明:温偏对异质结的C-V特性有严重影响,用C_(60)膜中的可动负离子效应成功地解释了这一现象,并估算出负离子浓度为3.1×10^(12)cm^(-2).用高频C-V测量准确确定了C_(60)的相对介电常数,在300—370K温度范围内其值为3.7±0.1.
- 陈开茅贾勇强金泗轩吴克李传义顾镇南周锡煌
- 关键词：碳60异质结电学性质
- 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
- 本发明提出了一种用于生长GaN及其有关化合物单晶薄膜的装置及方法。同轴双管分流器把NH<Sub>3</Sub>气与III族有机源分别输运，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减小气相副反应；...
- 张国义童玉珍党小忠金泗轩
- 文献传递
- 零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n－Si肖特基势垒的控制
- 1994年
- 〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后，含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关，而且与退火温度也有关。
- 元民华乔永平宋海智金泗轩秦国刚
- 关键词：肖特基势垒氢
- 低压MOCVD生长GaN p-n结蓝光LED被引量：2
- 1997年
- 简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光谱特性．室温下，在正向电压５Ｖ，正向电流３—２０ｍＡ的条件下，峰值波长依Ｍｇ的掺杂浓度和退火条件的不同而不同，分别在４２５ｎｍ，４３５ｎｍ和４８０ｎｍ附近，发射谱的半峰宽约为５０ｎｍ．
- 张国义杨志坚金泗轩党小忠
- 关键词：蓝光MOCVDI-V特性光谱特性
- 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ
- 毛祥军杨志坚金泗轩童玉珍王晶晶李非张国义
- 关键词：快速退火光致发光镁氮化镓
- Nb／C_（60）／p型Si结构的特性被引量：4
- 1994年
- 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．
- 陈开茅金泗轩贾勇强吴克李传义顾镇南周锡煌
- 关键词：电学特性异质结
