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郭凤丽

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河南大学物理与电子学院微系统物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇英文
  • 1篇碳化
  • 1篇气体
  • 1篇微结构
  • 1篇温度
  • 1篇表面形貌

机构

  • 1篇河南大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇顾玉宗
  • 1篇苏剑峰
  • 1篇张华荣
  • 1篇郑海务
  • 1篇傅竹西
  • 1篇郭凤丽

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响(英文)
2007年
通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC (100)薄膜。SiC (200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。
郑海务郭凤丽苏剑峰顾玉宗张华荣傅竹西
关键词：微结构表面形貌
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