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逢金波

作品数：3 被引量：4H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：天津市科技创新专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇CU(IN,...
  • 1篇电学参数
  • 1篇亚胺
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇三步法
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇温度曲线
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇NA
  • 1篇CIGS
  • 1篇CIGS薄膜
  • 1篇CIGS薄膜...
  • 1篇GA
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇南开大学

作者

  • 3篇孙云
  • 3篇刘玮
  • 3篇逢金波
  • 3篇姜伟龙
  • 2篇何青
  • 1篇张力
  • 1篇李长健
  • 1篇于涛
  • 1篇李凤岩

传媒

  • 2篇第十一届中国...
  • 1篇光电子．激光

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池被引量：4
2010年
研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。
姜伟龙张力何青刘玮于涛逢金波李凤岩李长健孙云
低温生长CuIn1-χGaχSe2薄膜太阳电池主要复合路径分析
本文采用低温三步法制备半导体黄铜矿CuIn1-χGaχSe2(CIGS)薄膜。即第一步衬底温度为350℃，第二、三步均为450℃。以CIGS薄膜为吸收层制备结构为SLG/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZnO：Al/Ni...
刘玮姜伟龙逢金波何青孙云
关键词：太阳电池温度曲线
文献传递
掺钠工艺对聚酰亚胺衬底Cu(In，Ga)Se2薄膜特性的影响
在柔性聚酰亚胺(polyirnjde，PI)衬底上生长Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜，Na的掺入会对薄膜的特性有重要的改善作用。本文研究了掺Na工艺对CIGS薄膜特性的影响。根据XRD数据及电学参数分析发现，采...
何静婧刘玮姜伟龙逢金波孙云
关键词：聚酰亚胺柔性衬底电学参数
文献传递
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