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谢钦熙

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇原子层外延
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇量子效率
  • 2篇晶格
  • 2篇超晶格
  • 1篇配位
  • 1篇化合物
  • 1篇激光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇MBE

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇乔怡敏
  • 3篇袁诗鑫
  • 3篇谢钦熙
  • 2篇于梅芳
  • 2篇俞锦陛
  • 2篇郭世平
  • 2篇陈新禹
  • 2篇李杰
  • 2篇彭中灵
  • 1篇张恕明

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
文献传递
Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究
1990年
本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。
钟建国谢钦熙张恕明乔怡敏袁诗鑫
关键词：MBE
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
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