谌家军
- 作品数：46 被引量：122H指数：7
- 供职机构：西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划四川省教育厅科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信金属学及工艺更多>>
- B掺杂对Ti薄膜结构与性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用双靶共溅射方法制备了微量B掺杂的Ti薄膜样品,利用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和X射线衍射仪对样品的掺杂原子浓度、表面形貌、晶型结构、晶粒尺寸和应力进行了分析表征.研究表明:掺杂后的Ti薄膜晶粒得到明显细化,并随着掺杂浓度的增大,薄膜的晶粒尺寸呈减小趋势,当掺杂浓度为5.50 at%时,Ti薄膜晶粒尺寸减小为1.3 nm,呈现出致密的柱状结构.B掺杂后的Ti薄膜应力由压应力转变为张应力.
- 张玲何智兵廖国谌家军许华李俊
- RbMgF_3:Ni^(2+)体系晶格局域结构的EPR理论研究被引量：6
- 2006年
- 在考虑掺杂晶体局域畸变的影响后,建立了联系RbMgF3:Ni2+体系的局域畸变结构与EPR谱间的关系,并计算了RbMgF3:Ni2+晶体在C3v和D3d对称下的零场分裂参量和g因数.EPR谱的理论计算值与实验值符合甚好.
- 冯文林谌家军
- Al_2O_3:Ni^(2+)晶体的局域结构研究
- 2004年
- 应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型,建立了零场分裂(Zero FieldSplitting)参量D与Al2O3:Ni2+晶体局域结构之间的关系式,并通过计算零场分裂参量D值,发现掺Ni2+离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变,零场分裂参量计算结果与实验符合.
- 冯文林谌家军
- 关键词：局域结构零场分裂晶体NI^2+配位场微扰理论
- d^3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型被引量：11
- 1995年
- 建立了三角对称d^3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型,它包括了经典晶场模型的零场分裂公式所忽略的配体贡献D(ζ_p)以及配体与中心离子相互耦合贡献D(ζ_d,ζ_p)的两部份;讨论了在不同的ζ_p,ζ_d及λ_r的情况下D(ζ_p)及D(ζ_d,ζ_p)的相对大小;指出了在ζ_p.及λ_r较大的情况下双自旋-轨道(so)耦合参数模型才能给出合理的结果;作为该模型的应用,计算了VCl_2和VBr_2的零场分裂,验证了D(ζ_p)对VBr_2的零场分裂是不可忽略的,并给出了与实验一致的结果.
- 杜懋陆李兆民谌家军
- 关键词：零场分裂
- 掺杂晶体SrLaAlO_4:Cr^(3+)局域结构的研究被引量：7
- 2006年
- 采用半自洽场(sem i-SCF)d轨道波函数模型和点电荷模型,利用高阶微扰公式,在晶体掺杂过渡金属离子后其结构对称性不会被破坏的条件下,由d-d跃迁光谱和EPR谱,确定SrLaA lO4:Cr3+晶体的局域结构。计算发现,掺入Cr3+后,晶体的键长为:R⊥′=0.1922nm,R′∥=0.2197nm.所得计算结果与实验值吻合得很好。
- 曾体贤谌家军冯文林
- 关键词：晶体场光谱EPR谱
- 氧脉冲磁控溅射法制备多晶TiO2薄膜
- 2008年
- 利用一种改进的溅射方法在载波片上制备了多晶TiO2薄膜。由于该法在溅射过程中氧气控制得像脉冲一样，所以称之为氧脉冲直流磁控反应溅射。它能有效的减轻靶中毒，样品沉积速率达到传统反应溅射法的7倍左右。分别利用椭圆偏振测厚仪、X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了沉积时间、氧分压以及氧气开关时间对沉积速率、晶体结构和表面形貌的影响。研究结果显示，在氧分压为30％，断氧时间Toff=30s和20s下制备的样品具有最好的金红石相或锐钛矿相单一晶体结构，并且在Toff=30s时，具有最佳的表面形貌。此外，在较高沉积速率和较低氧分压下，样品更趋向于生成金红石相。利用范德堡法研究了样品的电阻率，在氧分压为30％，Toff=30s和50％，Toff=40s下制备的样品的电阻率为10·cm左右。该样品适合进一步研究透明导电TiO2薄膜。
- 王秩伟龚恒翔李雪谌家军
- 关键词：TIO2薄膜反应溅射沉积速率
- 晶体(NH_4)_2C_4H_4O_6∶VO^(2+)的EPR参量及局域结构的研究被引量：8
- 2006年
- 采用叠加模型和双旋-轨耦合参量模型,建立了结构参数与EPR参量之间的定量关系;较好地解释了[VO(H2O)5]2+络离子的局域结构和EPR参量;研究结果发现,(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中络离子[VO(H2O)5]2+的键长为R//≈0.130nm,R⊥≈0.195nm;在(NH4)2C4H4O6:VO2+晶体中,局域结构沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量的理论计算与实验测量数据符合很好。
- 冯文林谌家军邓丽城吴慧聪高山泉
- 关键词：局域结构
- ZnO薄膜的研究现状被引量：9
- 2008年
- 通过介绍ZnO的晶体结构和基本物理性质,系统地讲述国内外ZnO薄膜的溅射法、喷雾热解法(SP)、气相沉积法(CVD)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)等制备方法及各自的优缺点,较为详细地列举了国内外ZnO薄膜在工程技术中的应用.
- 张菲谌家军王秩伟
- 关键词：ZNO薄膜晶体结构
- NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究被引量：5
- 2007年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm2,本底真空度5×10-5Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明:薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明:薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明:薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明:NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。
- 詹勇军吴卫东王锋白黎唐永建谌家军
- 电解抛光法制备金属钨箔膜
- 2010年
- 研究了在硫酸甲醇体系中进行电解抛光制备状态方程(EOS)靶用钨薄膜。分析了钨的阳极极化曲线,对薄膜的表面形貌、晶粒取向、密度和厚度一致性进行了测试和分析,并制备出均方根粗糙度小于50nm、厚度一致性好于99%、能够保持原材料密度的钨箔膜,满足激光驱动材料高温高压状态方程研究的标准靶材料的需求,证明电解抛光是制备低表面粗糙度、块材密度的EOS所用金属箔材的有效手段。
- 宋萍邢丕峰谌家军李朝阳谢军郑凤成
- 关键词：电解抛光粗糙度
