您的位置： 专家智库 > >

詹峰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇砷化镓
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇反相畴
  • 2篇衬底
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇INAS
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇牛智川
  • 3篇倪海桥
  • 3篇黄社松
  • 3篇詹峰
  • 3篇吴东海
  • 2篇吴兵朋
  • 2篇熊永华
  • 2篇王鹏飞
  • 1篇方志丹
  • 1篇赵欢

传媒

  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表...
黄社松詹峰赵欢吴东海方志丹倪海桥牛智川
关键词：分子束外延量子点INAS
文献传递
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
文献传递
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0