葛瑞萍
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
- 2009年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明:Si1-xGex:C缓冲层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;在Si1-xGex:C缓冲层上外延生长的Ge薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。
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- 关键词：化学气相淀积生长温度
- AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延被引量：1
- 2009年
- 利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高。生长温度、反应气源中C/Si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AlN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230～1270℃比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200～300℃;较为合适的C/Si比值为1.3。
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- 关键词：化学气相淀积
- 生长温度对Si1-zGez:C薄膜外延生长的影响
- 本文用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xG...
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- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子浓度X射线衍射
- 文献传递
- 生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
- 2008年
- 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。结果表明,Si1-xGex∶C外延层生长温度和生长时间一定范围内的增加加强了岛与岛之间的合并,促进了衬底Si原子向表面扩散、表面Ge原子向衬底扩散,且生长温度比生长时间对Si、Ge原子互扩散的影响大。
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- 关键词：扩散化学气相淀积
- Si1-xGex:C缓冲层及Ge薄膜的生长
- 在Si上外延生长Ge和高Ge组分的Si1-xGex合金具有广泛的应用。采用Ge组分渐变的Si1-xGex合金作为缓冲层可以减少因Ge、Si间存在较大的晶格失配而引起的失配位错，提高外延Ge薄膜的质量。而在Si1-xGex...
- 葛瑞萍
- 关键词：薄膜生长化学气相淀积缓冲层
- 生长温度对Si_(1-x)Ge_x:C薄膜特性的影响
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si_(1-x)Ge_x:C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si_(...
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- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子
- 文献传递
- 4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
- 2008年
- 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。
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- 关键词：化学气相淀积
- 生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C薄膜特性的影响
- 2008年
- 用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。用X射线衍射(XRD)、喇曼散射光谱(Raman)、能量色散谱(EDS)等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex∶C合金层生长温度对样品结构特征的影响。结果表明,Si1-xGex∶C合金层中的Ge原子浓度沿表面至衬底方向逐渐降低,其平均组分随着生长温度的升高而降低,这与较高生长温度(760～820℃)所导致的原子扩散效应相关;Si1-xGex∶C合金薄膜具有单一的晶体取向,薄膜的晶体质量随着温度的升高而降低。Si1-xGex∶C/Si样品载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex∶C合金层总体呈p型导电,对其导电分布特性进行了分析研究。
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- 关键词：化学气相淀积生长温度载流子
- GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
- 2008年
- 本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78eV;经过H2预处理,GaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿(111)方向择优生长,晶体质量较高。
- 王荣华韩平曹亮梅琴吴军葛瑞萍谢自力陈鹏陆海顾书林张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积GAN
- Si1-yCy薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
- 用化学气相淀积方法，以乙烯为碳源、硅烷为硅源，在Si（100）衬底上外延生长出了C组分达1.22％的Si1-yCy合金薄膜，研究表明：随着生长温度的降低，薄膜中替位式C组分增加。X射线衍射测量结果显示随着合金薄膜中替位式...
- 王荣华朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓韩平王琦夏冬梅吴军葛瑞萍梅琴谢自力修向前
- 关键词：化学气相淀积合金薄膜生长温度
- 文献传递
