肖胜根
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：昆明理工大学材料与冶金工程学院更多>>
- 发文基金：云南省科技攻关计划云南省科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信化学工程更多>>
- 梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制被引量：2
- 2008年
- 采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。
- 甘国友王立惠孙加林肖胜根严继康
- 关键词：梯度功能材料ZNO低压压敏电阻陶瓷
- ZnO压敏电阻器低压化浅谈被引量：5
- 2006年
- 国内外有关ZnO压敏电阻器低压化方法方面的研究报道很多。本文在整理诸多文献资料的基础上,按照各种方法的理论依据对它们进行了较为系统的归类及评述,并对ZnO压敏电阻器低压化方法的发展趋势作了初步探讨。
- 肖胜根甘国友严继康
- 关键词：ZNO压敏电阻器低压
- 浅谈ZnO压敏电阻器低压化被引量：1
- 2006年
- 近几十年来,国内外有关ZnO压敏电阻器低压化的研究报道很多。本文对低压化的方法作了较为系统的归类及评述,并对其发展趋势作了初步探讨。
- 肖胜根甘国友严继康
- 关键词：ZNO压敏电阻器低压
- 低压ZnO压敏陶瓷增长晶粒法制备工艺及性能研究
- 实现ZnO压敏陶瓷低压化的途径主要有三条：减小ZnO压敏陶瓷片的厚度、降低ZnO压敏陶瓷中单晶界层击穿电压、增大ZnO晶粒的平均尺寸，而且，亦可把各途径适当地结合起来。本论文主要创新性地对低压ZnO压敏陶瓷增长晶粒法制备...
- 肖胜根
- 关键词：ZNO压敏陶瓷籽晶正交试验
- 文献传递
