祝俊
- 作品数：25 被引量：169H指数：8
- 供职机构：江苏大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家高技术研究发展计划江苏省教育科学“十一五”规划课题更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学电气工程经济管理更多>>
- 高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统被引量：8
- 2007年
- 为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式;对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验.长工验数据和分析结果表明,所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2.6-4.0V,工作速度与TTL OC门线与系统相接近,在60 MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4.77-5.68 mW,且它们的延迟-功耗积平均降低了45.5%.
- 成立朱漪云王振宇刘星桥祝俊
- 关键词：数字系统双极互补金属氧化物半导体
- 基于培养创新素质的电子信息课程教改被引量：7
- 2007年
- 从顺应电子信息产业的迅猛发展和新时代对电子信息人才的需求出发,将培养学生创新意识和创新能力作为教学目标.具体做法是:在教改过程中对电子信息类课程的教学内容与方法、教学形式和教学手段进行全面调整和改革,从"探究性学习改革"和实践性环节入手,强化创新素质教育,建立并完善创新实验教学手段和创新制作实验室,扎实开展创新思维和创新能力的培训工作,从而取得了显著的教学效果.
- 成立祝俊王振宇张荣标武小红赵德安
- 关键词：电子信息课程教学改革创新教育
- 论国家科技创新政策与“产学研链条”关系的构建被引量：2
- 2008年
- 提出我国"产学研链条"合作的新概念,以及产学研链条合作过程中存在的诸多矛盾和问题,就国家发展的战略层面,对产学研链条合作体制创新、资源整合以及共赢机制进行探讨,提出进一步推动我国产学研链条密切合作的科技政策和方法。
- 祝俊陈龙彭智勇朱漪云
- VLSI电路可测性设计技术及其应用综述被引量：35
- 2004年
- 综述了超大规模集成电路的几种主要的可测试性设计技术,如扫描路径法、内建自测试法和边界扫描法等,并分析比较了这几种设计技术各自的特点及其应用方法和策略。
- 成立王振宇高平祝俊
- 关键词：VLSI可测性设计内建自测试自动测试设备超大规模集成电路
- 深化产学研战略联盟是我国经济走出世界经济危机的关键
- 2009年
- 根据席卷全球的世界经济危机形势,以及我国目前严峻的经济状况,若要确保中国的经济避免或减少在此次经济危机中的损失,并且我国的企业能够在世界经济复苏后取得竞争优势,我国必须深化产学研战略联盟。
- 祝俊朱漪云彭智勇
- 关键词：产学研战略联盟
- 试论学习改革与创新教育相结合的教学方法被引量：2
- 2008年
- 为了顺应科学技术的快速发展和社会对创新型人才的需求,高等学校应该确立大学生学习改革的理念,明确学生在自主创新学习过程中的主体地位,强调并发挥学生在自主创新学习中的地位和作用。高校应在教学活动中将自主学习与创新教育有机结合起来,采用学习改革与工程创新实践相辅相成的新模式,培养学生的兴趣爱好,调动其自主创新学习的积极性,改革教学管理方式,建立适合自主创新学习的管理体制。
- 成立王振宇祝俊严雪萍
- 关键词：创新教育教学方法
- 深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术被引量：2
- 2005年
- 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。
- 成立王振宇武小红范木宏祝俊赵倩
- 关键词：纳米CMOS器件离子束蚀刻电子回旋共振
- 数字VLSI电路测试技术-BIST方案被引量：19
- 2003年
- 分析了数字VLSI电路的传统测试手段及其存在问题,通过对比的方法,讨论了内建自测试(BIST)技术及其优点,简介了多芯片组件(MCM)内建自测试的目标、设计和测试方案。
- 高平成立王振宇祝俊史宜巧
- 关键词：测试技术BIST内建自测试多芯片组件超大规模集成
- 两种改进结构型BiCMOS模拟开关
- 2007年
- 为了改善其速度和电流驱动性能,设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分设置CMOS器件。优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施。通过仿真和硬件电路实验验证了开关电路性能,结果表明设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6 V≤VDD≤3.6 V的范围内,综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了25.5 pJ,输出级的驱动电流可达1.39 mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。
- 王振宇成立植万江王玲祝俊范汉华伊廷荣
- 关键词：低压数字通信系统
- 电子束曝光技术及其应用综述被引量：7
- 2006年
- 综述了几种目前已得到应用和正在发展中的电子束曝光技术,包括基于扫描电镜(SEM)电子束、高斯电子束、成型电子束和投影电子束曝光技术等,并分析比较了这些技术各自的特点、应用及发展前景。
- 王振宇成立祝俊李岚
- 关键词：电子束曝光微细加工光刻
