王宇
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术机械工程环境科学与工程更多>>
- 二氧化锰掺杂氧化碲粉体的制备及微观结构表征研究
- 2012年
- 用球磨法与液相沉淀法两种方法分别制备了MnO_2掺杂TeO_2超细粉体,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线激发发射光谱(XEL)对样品的物相组成、形貌等微观结构和发光性能进行了测试表征。结果表明,通过增加球磨混合时间和改变球磨介质,用球磨法可制得3～4μm的TcO_2粉体。相比球磨法,用液相沉淀法可制得更加均匀和细小的超细粉体,所得粉体的平均颗粒尺寸约为1μm,其发光强度更高。
- 孙智谢建军朱晓邢王宇朱勇施鹰
- 关键词：球磨法液相沉淀法
- 直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能被引量：7
- 2017年
- 通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1 000~1 060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成。结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00N·mm^(-1),铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有Al_2O_3、CuAlO_2和Cu_2O化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大。
- 谢建军王宇汪暾王亚黎丁毛毛李德善翟甜蕾林德宝章蕾吴志豪施鹰
- 关键词：表面金属化ALN陶瓷界面结合强度
- 水处理膜过滤专用骨架致孔道剂的合成
- 2016年
- 对水处理膜过滤专用骨架致孔道剂的合成方法进行研究,确定了其制备工艺条件。
- 王宇陈占
- 超细AlN粉体合成与陶瓷制备研究被引量：5
- 2017年
- 采用湿化学法,将异丙醇铝盐与有机碳源蔗糖混合,在一定温度及pH值下制成干凝胶,然后在高温下将干凝胶中的铝盐与碳源进行化学分解,并通过碳热还原发生氮化反应,制得中位粒径约为1.0μm,含氧量低、无杂相的超细AlN粉体。最后,通过添加CaF_2-Y_2O_3二元烧结助剂,利用无压烧结技术成功制得相对密度超过99.0%,热导率>180 W/(m·℃)的AlN陶瓷。
- 王宇谢建军汪暾丁毛毛章蕾雷芳施鹰
- 关键词：氮化铝湿化学法醇盐水解碳热还原
- 可用于缓控释肥聚乙烯基吡咯烷酮(K32)的合成与表征
- 本文研究了可用于缓控释肥包膜材料的PVP K32的合成。我们主要研究了通过水溶液自由基聚合法合成聚乙烯基吡咯烷酮PVP (K32)的实验技术，研究了不同引发剂、聚合工艺等对合成PVP (K32)的相对分子质量及残留单体含...
- 牟江涛王宇谢建军施鹰
- 关键词：缓控释肥聚乙烯基吡咯烷酮分子量分布
- 可用于缓控释肥聚乙烯基吡咯烷酮(K32)的合成与表征
- 2014年
- 研究了可用于缓控释肥包膜材料的聚乙烯基吡咯烷酮(PVP K32)的合成。研究了通过水溶液自由基聚合法合成PVP K32的实验技术,研究了不同引发剂、聚合工艺等对合成PVP K32的相对分子质量及残留单体含量的影响。通过优化实验获得一种分子量分布窄、残单含量低的PVP K32的聚合工艺,并对样品进行了表征及成分分析。
- 牟江涛王宇谢建军施鹰
- 关键词：缓控释肥聚乙烯基吡咯烷酮分子量分布
- 低含量残留单体的中高分子量PVP K60合成研究被引量：1
- 2012年
- 研究了引发体系、聚合机理和聚合工艺对聚乙烯基吡咯烷酮残留单体的影响,通过条件优化和特殊工艺得到残留单体低于USP32所规定的0.01%以下的PVP K60制品。
- 曾阳王宇谢建军施鹰刘志坤
- 关键词：聚乙烯吡咯烷酮
- Tb3+/Ce3+共掺杂Lu2SiO5薄膜制备与性能研究
- Tb具有5D4→7F5的特征能级跃迁，能在许多基质中于540 nm附近产生特征绿光发射，但Tb的猝灭浓度较高且价格昂贵，廉价的Ce作为Tb的敏化剂，可大幅度地提高Tb的发射。
- 谢建军张方圆王宇林德宝汪暾沈思情施鹰雷芳章蕾
- 关键词：发光薄膜
- Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的结构演变和发光性能
- 2016年
- 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb^(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu_2SiO_5的发光性能表现为Tb^(3+)离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射。研究表明Tb^(3+)掺杂浓度对Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol%的Tb^(3+)时,Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的发光强度最强。
- 孙智谢建军王宇施鹰雷芳
- 关键词：SOL-GEL法发光性能
- Dy2O3–CaF2对AlN陶瓷制备、结构及性能的影响被引量：1
- 2018年
- 以AlN粉体为原料,采用无压烧结,选取二元烧结助剂Dy2O3–CaF2在1 800℃氮气气氛下烧结AlN陶瓷,利用Archimedes排水法、X射线衍射、扫描电子显微镜、激光导热分析仪和万能材料试验机对烧结的AlN陶瓷的密度、热性能和力学性能进行了测试,并对AlN陶瓷的物相变化和微观结构进行了表征。结果表明：添加二元烧结助剂Dy2O3–CaF2可以有效促进AlN陶瓷致密化以及晶粒的生长发育,降低AlN陶瓷的烧结温度,改善AlN陶瓷的导热性能。当添加2.5%（质量分数）Dy2O3＋1.5%（质量分数）CaF2在1 800℃氮气气氛下常压烧结2 h时,制备出了晶粒发育良好、结晶良好,相对密度99.6%,热导率169 W/（m·K）,同时具有较高的机械强度的AlN陶瓷。
- 汪暾谢建军戴圣洪丁毛毛王宇施誉挺周鼎施鹰
- 关键词：氮化铝陶瓷烧结助剂无压烧结
