汤会香
- 作品数：13 被引量：65H指数：5
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理化学工程更多>>
- ZnO纳米颗粒气敏性能的研究
- ZnO是一种重要的新型半导体材料，由于其独特的电学、光学特性，近年来引起了极大关注。而纳米ZnO材料具有比表面积大、易于表面修饰等优点，在光电子器件、传感器等领域有广泛的应用前景。对于纳米ZnO气体传感器而言，它属于表面...
- 汤会香
- 关键词：氧化锌纳米材料表面修饰气敏传感器半导体材料气敏性能
- CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响被引量：5
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法制备了CdS-ZnO复合纳米颗粒,通过把纳米颗粒旋涂在叉枝Au电极上,制得传感器元件来研究CdS纳米颗粒掺杂对ZnO气敏性能的影响.利用X射线衍射研究了CdS-ZnO纳米颗粒的相结构,研究表明当CdS含量为1%与3%时,ZnO纳米颗粒的结晶度相对较好.透射电镜研究表明:CdS掺杂后,ZnO颗粒仍处在纳米尺度范围,大小约为10 nm,同时小的纳米颗粒容易团聚在一起,形成大小约为200 nm的纳米球.通过对CdS-ZnO纳米颗粒传感器气敏性能的系统研究,发现当CdS纳米颗粒的含量为3%时,传感器在室温下对NH3气体的灵敏度和选择性较好,且重复性较好.最后初步讨论了CdS掺杂的ZnO气体传感器与NH3气体相互作用的气敏机理.
- 徐进汤会香
- 关键词：氧化锌传感器透射电镜
- 化学水浴法制备Cu<,x>S薄膜
- CuInS<,2>薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳能电池材料.为了用化学水浴法制备CuInS<,2>薄膜,本文研究了化学水浴法制备Cu<,x>S薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分.并且对薄膜的光学...
- 汤会香严密张辉王志浩马向阳杨德仁
- 关键词：光学性质薄膜太阳能电池
- 文献传递
- 太阳能电池材料CuInS_2的研究现状被引量：25
- 2002年
- 综述了CuInS_2太阳能电池的研究现状,介绍了CuInS_2材料的结构性质、光学性质、电学性质及制备方法,讨论了Na与Ga对其性质的影响,并提出了目前存在的问题及其发展趋势。
- 汤会香严密张辉杨德仁
- 关键词：太阳电池化合物半导体
- 化学沉积制备CdS及超声振动处理被引量：6
- 2003年
- 在无搅拌、氨水作为络合剂的条件下得到六方相的CdS薄膜 ,并通过对比超声振动处理和未超声振动处理样品的X射线衍射谱指出文献中在搅拌条件下制备的CdS薄膜相难以确定的原因。通过SEM、EDX和UV/VIS等测试仪器的分析表明超声振动可以很好的改善薄膜的性质使之适合用作太阳电池的n窗口材料 ,从而降低成本。
- 张辉杨德仁马向阳汤会香阙端麟
- 关键词：CDS化学沉积
- 电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究
- 2003年
- 利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。
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- 关键词：电沉积相结构
- 不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响被引量：9
- 2006年
- 研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。
- 汤会香严密张辉崔天峰倪利红杨德仁
- 关键词：络合剂ZNS薄膜搅拌
- 化学水浴法制备CuInS2薄膜的研究
- 用化学水浴法(Chemical Bath Deposition,CBD)在ITO玻璃衬底上制备了太阳能电池用的CuInS薄膜。用CBD法制备了CuS/InS的前驱体,然后在硫的气氛下硫化CuS/InS前驱体得到CuInS...
- 汤会香严密张辉马向阳杨德仁
- 文献传递
- 氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn_(1-X)Ga_XSe_2/CdS的影响
- 2004年
- 将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-XGaXSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-XGaXSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIn0 7Ga0 3Se相的形成,这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响,这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的,而非普通的热处理所致。
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- 关键词：CIGS氢
- 热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS_2薄膜的影响被引量：6
- 2005年
- 采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温-高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。
- 汤会香严密张辉杨德仁
