梁良
- 作品数：34 被引量：99H指数：6
- 供职机构：西安建筑科技大学理学院更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目青年科技基金陕西省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程文化科学化学工程更多>>
- 受限条件下玻璃基质中LaF_3微晶生长机理的光谱学探究被引量：1
- 2014年
- 利用高温熔融法制备了Eu3+掺杂的45SiO2-25Al2O3-18Na2O-9.5LaF3玻璃,并将基础玻璃在可控条件下进行晶化热处理后获得了性能良好的玻璃陶瓷.通过XRD,TEM和光谱学手段对玻璃陶瓷进行了表征,结果表明晶化热处理后,LaF3纳米晶体从原有单一的玻璃相中析出,晶粒大小约为25 nm.Eu3+掺杂玻璃陶瓷、纳米晶体和玻璃3种基质的光谱分析及XRD结果证明稀土离子进入到LaF3纳米晶体中并计算出在其中富集的比例.进一步利用源自于Eu3+离子的发射谱和激发谱研究了退火温度和前驱物中重金属离子对玻璃网络结构中LaF3纳米晶体生长影响的机理,为玻璃陶瓷的人工设计合成提供了理论支持.
- 高当丽张翔宇郑海荣梁良杨永明
- 关键词：玻璃陶瓷光谱特性
- 小球半径对落球法测液体粘度的影响被引量：6
- 2002年
- 分析了落球法测液体粘度实验中 ,小球半径的变化对测量结果的影响 。
- 周超梁良魏诺
- 关键词：落球法液体粘度小球
- 最弱受约束电子势模型下KrⅡ离子Rydberg态能级的研究
- 2008年
- 在最弱受约束电子势模型的理论框架下,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损公式推广到实为开壳层的多价原子(离子)系统,并且保留了能量对量子数亏损的高次依赖关系,计算了KrⅡ离子的4s24p4(1D)nd’2D3/2,4s24p4(1D)nd’2D5/2,4s24p4(3P)np和4s24p4(1D)nd’2S1/2系列Rydberg态的能级,理论计算值与实验值符合很好,两者的相对误差除了个别数据外,不超过8.24×10-4,达到了很高的精度.
- 蒋雯先梁良周超
- 关键词：RYDBERG系列量子数亏损最弱受约束电子势模型
- GaII能谱的多通道量子数亏损理论(MQDT)分析被引量：6
- 1990年
- 本文利用多通道量子数亏损理论(MQDT),通过拟合Isberg等人新近关于Gall的实验能级数据,确定出偶宇称J=0,1,2,3和奇宇称J=1,2六个对称块的MQDT参数,预言了11个Rydberg系列离散能级的位置,并分析了各Rydbyrg系列之间的干扰情况,除个别低能级外,能级计算值与已测得的实验值符合得很好。
- 梁良王永昌刘学文
- 关键词：多通道量子数
- 铅原子J=2奇宇称能谱的MQDT分析被引量：1
- 2002年
- 在多通道量子数亏损理论 (MQDT)的基础上 ,对铅原子J =2奇宇称的MQDT模型进行了分析 ,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法 ,计算并预言了 6 pnd 123202和 6 pnd
- 梁良周超
- 关键词：RYDBERG系列铅原子MQDT能谱分析
- CoⅩ Ⅶ离子Rydberg态能级的最弱受约束电子势模型理论计算被引量：1
- 2007年
- 利用最弱受约束电子势模型的理论,通过对最弱受约束电子的识别,将Martin关于单价原子量子亏损公式推广到多价原子（离子）系统,从而计算了Co ⅩⅦ离子的2p^6np^2P^o 1/2,3/2（n=3-20）和2p^6nd^2D3/2,5/2（n=3-20）系列Rydberg态的能级,理论计算值与实验值吻合较好,两者的相对误差不超过4.64×10^-3%,达到了很高的精度.
- 周超梁良张玲
- 关键词：最弱受约束电子势模型量子数亏损RYDBERG态能级
- 介质阻挡放电及其应用被引量：9
- 2003年
- 讨论了介质阻挡放电产生和发展过程的机理及其某些特性在环境保护中的应用
- 周超梁良
- 关键词：介质阻挡放电微放电
- 含增益缺陷层的1维三元光子晶体特性研究被引量：4
- 2013年
- 为了设计出具有特殊光学特性的晶体,在不考虑色散的基础上,采用传输矩阵法对缺陷层为增益介质的1维三元光子晶体的光学特性进行了理论分析和数值模拟,主要研究了在0.242μm处能获得最大光放大时所对应的增益介质的厚度及光学常数,并讨论了当中心波长变化时的光放大特点。结果表明,当中心波长为0.3μm时,中心波长两侧存在着对应的禁带,改变缺陷层厚度及光学常数对该带隙结构的影响很小;但通带边0.242μm波长处获得很强的光放大。这一结果为今后获得具有所需特征缺陷的光子晶体提供了理论指导。
- 高雯婧梁良
- 关键词：光子晶体传输矩阵法缺陷层增益介质光放大
- 铝-价离子AlⅡ 3snp^1P_1~0能谱及寿命的计算
- 1998年
- 利用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ），计算并预言了ＡｌⅡ３ｓｎｐ１Ｐ０１序列ｎ＞５各能态的寿命。
- 梁良
- GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算
- 1996年
- 利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。
- 梁良王永昌
- 关键词：能级多通道量子亏损理论
