林钢
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
- 2004年
- 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 .
- 林钢徐秋霞
- 关键词：叠层栅介质
- 大马士革技术中一种非CMP平坦化技术研究
- 本文深入研究了一种非CMP的平坦化方法,它的主要过程包括BPSG热回流,两次旋涂光刻胶以及速率差干法回蚀等步骤.这种方法将热回流技术与旋涂膜层技术结合起来,具有良好的平坦化效果.利用这项技术,我们成功地制备出性能良好的栅...
- 钟兴华林钢
- 关键词：刻蚀光刻胶金属栅
- 文献传递
- 超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件
- 2005年
- 成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 .在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 .在Vds=Vgs=± 1 5V下 ,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为5 84 3μA/ μm和 - 2 81 3μA/ μm ,对应Ioff分别是 8 3nA/ μm和 - 1 3nA/ μm .
- 林钢徐秋霞
- 关键词：CMOS器件
- 超薄Si<,3>N<,4>/SiO<,2>(N/O)叠层栅介质研究
- 栅介质是CMOS器件的核心部分,也是目前限制CMOS器件Scaling down的主要因素之一.不同于传统的SiO<,2>栅介质,该文采用Si<,3>N<,4>/SiO<,2>叠层膜作为栅介质,并成功的应用于深亚微米CM...
- 林钢
- 高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文)
- 2006年
- 在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关键技术主要包括:1·7nm N/O叠层栅介质,非CMP平坦化技术,T型难熔W/Ti N金属叠层栅电极,新型重离子超陡倒掺杂沟道剖面技术以及双侧墙技术.成功地制备了具有良好的短沟道效应抑制能力和驱动能力的栅长为95nm的金属栅CMOS器件.在VDS=±1·5V,VGS=±1·8V下,nMOS和pMOS的饱和驱动电流分别为679和-327μA/μm.nMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为84·46mV/dec ,34·76mV/ V和0·26V.pMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为107·4mV/dec ,54·46mV/ V和0·27V.结果表明,这种结合技术可以完全消除B穿透现象和多晶硅耗尽效应,有效地降低栅隧穿漏电并提高器件可靠性.
- 钟兴华周华杰林钢徐秋霞
- 关键词：等效氧化层厚度
- 新结构MOSFET被引量：2
- 2003年
- 和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。
- 林钢徐秋霞
- 关键词：FINFET集成电路
