林丽
- 作品数：12 被引量：17H指数：3
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- 等效厚度评估GaAs MMIC的Si_3N_4电容可靠性
- 2004年
- 通过不同GaAsMMIC的MIMSi3N4电容结构,运用TDDB理论研究分析了斜坡电压下的MIMSi3N4电容的导电特性和击穿特性,确定了GaAsMMIC的MIMSi3N4电容失效不是介质本征击穿导致失效,而主要是由Si3N4介质的缺陷引起。基于缺陷导致介质电场击穿的原理,提出了等效厚度模型评估和监测GaAsMMIC的Si3N4介质电容的质量和可靠性的新方法,可以用于工艺生产线实现对Si3N4介质电容的质量和可靠性进行快速评估和监测。
- 黄云钮利荣林丽
- 关键词：可靠性
- SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究被引量：6
- 2006年
- 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。
- 何玉娟师谦李斌林丽张正选
- 关键词：X射线总剂量辐射效应绝缘体上硅注氧隔离
- GaAs MMIC的MIM电容介质的TDDB特性
- 本文运用TDDB理论,研究分析了GaAs MMIC的MIM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计了不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价.Si<,3>N<,4>MIM电容的可靠性与其面积的成正比、与其周长成反比.
- 黄云林丽钮利荣
- 关键词：TDDB介质击穿
- 文献传递
- 电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究被引量：1
- 2008年
- 采用10keVX射线研究了部分耗尽SOIMOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.
- 刘洁周继承罗宏伟孔学东恩云飞师谦何玉娟林丽
- 关键词：SOIMOSFETSKINK效应总剂量效应
- 基于Delphi的美容美发管理系统的设计与实现
- 美容美发行业在促进我国经济建设等方面具有不可替代的作用，然而目前与之有关的信息化建设相对滞后，不仅限制了服务质量的提高，而且还严重的阻碍了整个行业内部管理体制的完善和营销渠道的扩大。为此，开展美容美发连锁系统的设计与实现...
- 林丽
- 关键词：DELPHI美容美发C/S
- MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
- 本文运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电离辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明一定总剂量辐射条件...
- 林丽何玉娟李斌罗宏伟师谦
- 关键词：MOS器件辐照效应电离辐射
- 文献传递网络资源链接
- GaAs MMIC钝化层介质Si_3N_4的可靠性评价被引量：1
- 2005年
- 在斜坡电压应力条件下对GaAsMM IC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命.与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉.
- 李斌林丽黄云钮利荣
- 关键词：GAASMMIC击穿TDDB氮化硅
- MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究被引量：7
- 2006年
- 对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。
- 何玉娟师谦李斌罗宏伟林丽
- 关键词：界面态辐照效应
- MOSFET总剂量效应的Medici仿真研究
- 运用Medici二维器件仿真软件改进了仿真电高辐射总剂量效应的二维数值法,仿真模拟了NMOSFET在不同总剂量下Ⅰ-Ⅴ转移特性曲线和阈值电压的变化以及器件结构尺寸对总剂量辐射效应的影响。仿真结果表明一定总剂量辐射条件下,...
- 林丽李斌罗宏伟师谦何玉娟
- 关键词：辐照总剂量MEDICI电离辐射
- 文献传递
- 辐射偏置对SOI MOS器件总剂量效应的影响研究
- 与体硅技术相比，SOI(Silicon on Insulator)技术可以实现单个晶体管的全介质隔离，这种隔离结构使SOI技术在抗单粒子事件、剂量率辐射等方面有着突出优势。但同时SOI技术为实现全介质隔离，采用了多个Si...
- 林丽
- 关键词：数字集成电路MOS器件SOI技术总剂量辐射
