杨胜辉
- 作品数：21 被引量：11H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 快速凝固法制备(Ge1-ySnyTe)x(AgSbTe2)100-x化合物热电材料的电学性能
- 利用快速凝固方法制备了(GeTe)(AgSbTe) (x=80,85,90)和(GeSnTe)(AgSbTe)(y=0．05,0．1,0．2, 0．4)系列 TAGS 热电化合物。所得材料晶体结构属于菱形晶系,晶格常数随...
- 杨胜辉朱铁军赵新兵
- 关键词：热电材料快速凝固法电学性能
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- La掺杂Bi-Sr-Co-O层状氧化物的热电性能
- 本文用固相烧结法制备了掺La层状热电氧化物Bi2Sr2-xLaxCo2O9(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)。XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构，Seebeck系数为正,说明该...
- 刘鑫鑫沈俊杰朱铁军杨胜辉赵新兵
- 关键词：化合物半导体热电效应
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- La掺杂Bi-Sr-Co-O层状氧化物的热电性能
- 用固相烧结法制备了掺La层状热电氧化物BiSrLaCoO(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)。XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构。Seebeck系数为正,说明该氧化物为p型半导体...
- 刘鑫鑫沈俊杰朱铁军杨胜辉赵新兵
- 关键词：热电材料镧掺杂
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- 一种银锑碲和碲化银基原位复合热电材料的制备方法
- 本发明公开的银锑碲和碲化银基原位复合热电材料的制备方法，其步骤如下：将银、锑和碲元素按Ag<Sub>x</Sub>Sb<Sub>2－x</Sub> Te<Sub>3－x</Sub>，x＝0.86～0.95的化学成分称量后...
- 赵新兵张胜楠朱铁军杨胜辉
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- Ti掺杂对half-Heusler合金YNiSb热电性能的影响被引量：3
- 2011年
- 通过悬浮熔炼方法制备了Y1-xTixNiSb(x=0,0.015,0.02,0.025)材料并研究了Ti掺杂对材料热电性能的影响。经过孔隙率修正后,Ti掺杂样品的热导率和电导率均比未掺杂样品要低,并且随着Ti含量的增加呈现先下降后上升的趋势。分析发现Ti掺杂后样品热导率的降低是由于电子热导率的下降所致,电子载流子的引入则导致了电导率的下降。Ti掺杂后样品Seebeck系数在室温下有变负趋势,表明材料在室温下可能呈现N型传导特性。最终,Ti掺杂提高了材料的热电性能。Ti含量x=0.015的样品在770K左右获得最大ZT值0.085,与未掺杂样品相比,提高了约60%。
- 肖凯朱铁军蔚翠杨胜辉赵新兵
- 关键词：热电材料热导率电导率悬浮熔炼
- Ti掺杂对half-Heusler合金YNiSb材料热电性能的影响
- 通过悬浮熔炼方法制备了Y1-xTixNiSb(x=0,0.015,0.02,0.025)材料并研究了Ti掺杂后对材料热电性能的影响。经过孔隙率修正后，Ti掺杂后样品的热导率和电导率均比未掺杂样品要低并且随着Ti含量的增加...
- 肖凯朱铁军蔚翠杨胜辉赵新兵
- 关键词：热电材料电热性能
- 一种制备Yb<Sub>14</Sub>MnSb<Sub>11</Sub>基半导体热电材料的方法
- 本发明公开了一种制备Yb<Sub>14</Sub>MnSb<Sub>11</Sub>基半导体热电材料的方法，将原料密封在钽管坩埚内，再放入石英管内进行感应加热熔炼；熔炼中钽管坩埚加热至1800～1900摄氏度，可得到Yb...
- 朱铁军蔚翠杨胜辉张胜楠赵新兵
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- 一种优化多晶碲化铋基热电合金材料性能的热锻处理方法
- 本发明公开了一种优化多晶碲化铋基热电合金材料性能的热锻处理方法。将已一次热压成型的多晶碲化铋基块状热电合金，直接放入石墨模具再进行热锻变形、保压得到最终热电合金材料。本发明机理主要是由于热锻变形改变材料微观组织结构，应力...
- 赵新兵沈俊杰朱铁军曹一琦杨胜辉
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- Sn掺杂Bi-Sr-Co-O层状氧化物的热电性能
- 2009年
- 采用固相烧结法制备了掺Sn的层状热电氧化物Bi2-ySnySr2Co2O9-δ(y=0、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10)。XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存在一定程度的织构。Seebeck系数为正,说明该氧化物为p型半导体。掺Sn后电导率和热导率均增大。对于Seebeck系数和功率因子,存在着掺Sn量的最优值,即Bi1.96Sn0.04Sr2Co2O9-δ。掺Sn样品的最高ZT值比未掺Sn样品提高了约2倍。
- 刘鑫鑫沈俊杰朱铁军杨胜辉赵新兵
- 关键词：热电材料
- 快速凝固法制备ZrNiSn基Half-Heusler热电材料的微结构被引量：2
- 2010年
- 通过悬浮熔炼的方法制备了half-Heusler热电材料Zr(Hf)NiSn(Sb)合金,并进一步通过快速凝固来细化晶粒,通过放电等离子烧结制备块材并测试其热电性能.X射线衍射分析表明获得了单相Half-Heusler化合物.扫描电子显微观察发现,快速凝固后的样品晶粒尺寸在500nm左右,放电等离子烧结后晶粒尺寸并未明显长大.同时观察到在晶粒的表面还分布了很多几十纳米尺寸的小晶粒.快速凝固的样品与熔炼样品相比具有较高的电导率及载流子浓度,据此推断在快速凝固过程中产生的纳米晶粒应为金属相.快速凝固后的样品晶界散射增多,因而具有较低的晶格热导率.
- 蔚翠朱铁军肖凯金吉沈俊杰杨胜辉赵新兵
- 关键词：ZRNISN快速凝固晶粒尺寸微结构
