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杨红姣

作品数:43 被引量:22H指数:4
供职机构:湘潭大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省研究生创新基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 15篇可控硅
  • 7篇电路
  • 7篇衬底
  • 6篇阳极
  • 6篇阴极
  • 6篇鲁棒
  • 6篇鲁棒性
  • 5篇雪崩
  • 5篇制作方法
  • 5篇双向可控硅
  • 5篇芯片
  • 5篇滤波器
  • 4篇闩锁
  • 4篇静电释放
  • 3篇电阻
  • 3篇对数域
  • 3篇对数域滤波器
  • 3篇雪崩击穿
  • 3篇运算放大器
  • 3篇整流

机构

  • 43篇湘潭大学

作者

  • 43篇杨红姣
  • 27篇汪洋
  • 10篇金湘亮
  • 7篇曾以成
  • 3篇谢亮
  • 3篇余博
  • 3篇罗婷
  • 3篇王源
  • 2篇杨佳
  • 2篇张玲
  • 2篇邓俊
  • 1篇马铭磷
  • 1篇周阿铖
  • 1篇张平
  • 1篇王欣
  • 1篇谭志平
  • 1篇刘奇能
  • 1篇吴继春
  • 1篇刘维辉
  • 1篇杨佳

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇湘潭大学自然...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇计算物理
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇教育进展

年份

  • 2篇2025
  • 8篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CAN FD总线位定时模块的设计与验证
2023年
随着汽车电子设备的发展,传统CAN总线难以满足传输速度快且传送容量大的要求,而CAN FD总线能在兼容CAN的同时提供更快速的通信。CAN FD总线位定时模块在保障CAN FD总线的正常收发过程中发挥重要作用,同时也是CAN FD控制器的重要组成部分和设计难点之一。本文依据ISO11898-1:2015标准研究CAN FD位定时机制,提出一种CAN FD位定时模块设计思路。此模块使用Verilog硬件描述语言实现,采用QuartusⅡ和Modelsim联合仿真来对位速率产生、位速率切换和同步操作功能进行验证。验证结果表明此设计符合ISO11898-1标准规定,能完成FD帧的位时间产生和切换,证明设计思路的正确性和可行性。
肖懿琳杨红姣谢亮
关键词:位定时
基于SYSGEN的AS型FIR滤波器设计被引量:1
2011年
本文以FPGA为硬件核心设计数字滤波系统,提出一种低成本高效FIR滤波器的设计方法。首先利用提出的AS型FIR滤波器实现结构,降低系统逻辑资源消耗、提高系统资源利用率及系统运行速度,然后综合采用SYSGEN和ISE实现滤波器的模块化和自动化设计,简化设计过程,降低实现难度。具体在XC3S500E4f320 FPGA上实现了一系列4阶到32阶的FIR滤波器,实验结果验证了方法的有效性。
杨红姣李飞
关键词:CSD编码FPGA
基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管机理、模型及器件优化研究
单光子雪崩二极管(Single-PhotonAvalancheDiode,SPAD)是盖革模式的雪崩光电二极管,是一种能够探测极微弱光信号的探测器,具有单光子探测灵敏度、皮秒量级响应速度、增益系数高等优点,在光场探测、光...
杨红姣
关键词:CMOS工艺光电探测器件
文献传递
肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法
本发明公开了一种肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及其制作方法,本发明在单向可控硅的基础进行了改进。本发明在单向可控硅的NW中内嵌了一个肖特基二极管、PW中内嵌了一个P+区域,肖特基二极管和内嵌的P+区域通过金属线...
杨红姣邓俊汪洋陈浩天周峰峰刘威
窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法
本发明实施例提供了一种窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法,包括:P型衬底,P型外延层,第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱,第一N型深阱、第二N型深阱、第三N型深阱,第一P+注入区、第二P+注入区、第三...
杨浩泽汪洋杨红姣
文献传递
基于CDMOS工艺具有限流保护功能的功率运算放大器
本发明公开了一种基于CDMOS工艺具有限流保护功能的功率运算放大器,包括第一级运算放大单元、第二级运算放大单元、限流保护单元、偏置电路;所述偏置电路与第一级运算放大单元、第二级运算放大单元连接,第一级运算放大单元的输出端...
汪洋丁利强金湘亮杨红姣
文献传递
一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件
本发明公开了一种内嵌P+注入区分段型非对称可控硅静电释放器件。首先,本发明通过在浅P阱中加入浮空的P+注入区,使得横向寄生NPN管的基极宽度和浓度增大,降低横向寄生NPN管的放大倍数,使得静电倾向于从纵向寄生NPN管泄放...
汪洋陈锡均夹丹丹芦俊杨红姣周子杰
文献传递
高压工艺高性能ESD关键技术及其应用
金湘亮汪洋谢亮杨红姣曾以成周阿铖
静电放电(ESD)是影响集成电路(IC)芯片可靠性的关键因素之一。ESD每年在IC成品率和早期现场失效方面使世界电了工业蒙受数十亿美元的损失,国外各大集成电路设计公司和代工厂都已把ESD问题提上了战略高度,国内外科研单位...
关键词:
关键词:集成电路芯片传感器
内嵌NPN的垂直型可控硅静电防护器件及其制作方法
本发明公开一种内嵌NPN的垂直型可控硅静电防护器件及其制作方法,包括P型衬底、N型埋层、P型外延层、和P型深阱;由于P型深阱和N阱浅阱的雪崩击穿电压更低,雪崩击穿面被转移至该纵向平面,通过该设计引导ESD电流通过垂直路径...
汪洋 关文杰杨红姣 邓志勤余博
一阶电流模式对数域滤波器的设计被引量:5
2008年
提出由传输函数直接设计电流模式低通对数域滤波器的方法,实现了电流模式一阶低通对数域滤波器.并根据一阶低通、高通和全通滤波器之间的结构关系,设计出具有多输出功能的一阶对数域滤波器,该滤波器结构简单,PSPICE仿真表明,它具有良好的频率响应特性,可以实现低电压工作,且能通过改变外部电流调节截止频率.
杨红姣曾以成
关键词:对数域滤波器传输函数
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