杨永晖
- 作品数：55 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
- 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制M...
- 谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
- 高压大功率器件小电流控制技术研究
- 2005年
- 随着高压大功率双极功率集成电路在各种电源管理、功率驱动等领域中的应用日益广泛,产品的可靠性设计和控制显得尤其重要。介绍了高压大功率器件小电流的控制研究,说明了小电流形成的原理,及其对产品可靠性的影响;对各类曲线进行了详细分析,阐明了小电流的测试和控制技术,以及小电流对高压大功率双极型集成电路可靠性的重要性。
- 曾莉税国华张正元杨永晖徐岚
- 关键词：双极集成电路SPC
- 轨到轨输入级电路及运算放大器
- 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过...
- 杨永晖朱坤峰杨法明刘玉奎黄文海黄东钱呈张金龙王鹏飞陈俊
- 一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件
- 本实用新型公开了一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一有源层、电荷收集槽、轻掺杂第一导电类型第二有源层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电...
- 唐昭焕杨永晖肖添谭开洲
- 文献传递
- 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
- 2011年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。
- 席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 半导体改进结构及功率半导体器件
- 本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，...
- 谭开洲蒋和全张培健肖添钟怡王健安王育新杨永晖崔伟张霞黄东
- PJFET与双极兼容工艺技术研究被引量：2
- 2009年
- 通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术，成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管（BJFET）集成运算放大器，获得了良好的效果。
- 税国华唐昭焕刘勇欧宏旗杨永晖王学毅黄磊
- 关键词：集成运算放大器
- 一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究被引量：1
- 2010年
- 提出了一种实用的高压BiCMOS工艺。该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件。NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压为37 V;齐纳二极管在25μA时其反向击穿电压为5.5 V。使用该工艺,研制了一款低压差线性稳压器(LDO),基准源静态电流小于1.5μA。该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制。
- 唐昭焕刘勇王志宽谭开洲杨永晖胡永贵
- 关键词：BICMOS工艺低压差线性稳压器
- 介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
- 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制M...
- 谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
- 文献传递
- 提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法
- 本发明涉及一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法。本发明方法通过调整牺牲层，即光致抗蚀剂的曝光显影及高温坚膜条件，在光致抗蚀剂上形成通孔图案，再以图案化的牺牲层作为掩蔽层，通过调整离子体刻蚀工艺的工艺条件参数，得到开口具有...
- 王强梁涛王斌刘勇杨永晖
- 文献传递
