杨永晖
- 作品数：56 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>
- 介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法
- 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制M...
- 谭开洲肖添张嘉浩李孝权王鹏飞裴颖李光波杨永晖蒋和全张培健邱盛陈良崔伟
- 高压大功率器件小电流控制技术研究
- 2005年
- 随着高压大功率双极功率集成电路在各种电源管理、功率驱动等领域中的应用日益广泛,产品的可靠性设计和控制显得尤其重要。介绍了高压大功率器件小电流的控制研究,说明了小电流形成的原理,及其对产品可靠性的影响;对各类曲线进行了详细分析,阐明了小电流的测试和控制技术,以及小电流对高压大功率双极型集成电路可靠性的重要性。
- 曾莉税国华张正元杨永晖徐岚
- 关键词：双极集成电路SPC
- 轨到轨输入级电路及运算放大器
- 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过...
- 杨永晖朱坤峰杨法明刘玉奎黄文海黄东钱呈张金龙王鹏飞陈俊
- 变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：8
- 2010年
- 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
- 费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- A/D与D/A转换器主流工艺技术现状和发展趋势被引量：3
- 2008年
- 随着半导体技术的进步,对A/D、D/A转换器的性能提出了更高的要求,用于制作A/ D、D/A转换器的工艺技术也在不断改进。文章介绍了目前用于制作A/D、D/A转换器的主流工艺技术;结合相关产品,对比分析了各种工艺的优缺点,并对A/D、D/A转换器工艺技术的发展趋势进行了展望。
- 韩卫敏杨永晖
- 关键词：A/D转换器D/A转换器半导体工艺CMOSBICMOS
- 高压半导体介质耐压终端
- 本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料...
- 谭开洲付强唐昭焕胡刚毅许斌陈光炳王健安王育新张振宇杨永晖钟怡刘勇黄磊王志宽朱坤峰陈文锁邱盛
- 文献传递
- 一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法
- 本发明公开了一种带载流子寿命调节区的功率MOSFET器件及其制造方法，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一外延层、重掺杂第一导电类型载流子寿命调节区、轻掺杂第一导电类型第二外...
- 唐昭焕杨永晖肖添谭开洲
- 一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件
- 本实用新型公开了一种带电荷收集槽的功率MOSFET器件，其技术特征在于：包括漏极金属层、重掺杂第一导电类型衬底材料、轻掺杂第一导电类型第一有源层、电荷收集槽、轻掺杂第一导电类型第二有源层、第二导电类型阱区、重掺杂第一导电...
- 唐昭焕杨永晖肖添谭开洲
- 文献传递
- 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
- 2011年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。
- 席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 半导体改进结构及功率半导体器件
- 本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，...
- 谭开洲蒋和全张培健肖添钟怡王健安王育新杨永晖崔伟张霞黄东
